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Infineon BSC046N10NS3G

Infineon BSC046N10NS3G N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: BSC046N10NS3G

데이터 시트: BSC046N10NS3G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: QFN-8 5X6

상품 유형: INFINEON

RoHS 상태:

재고상태: 3843 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC046N10NS3G 일반적인 설명

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8

bsc046n10ns3g
BSC046N10NS3G

명세서

매개변수 매개변수
Source Content uid BSC046N10NS3G Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8 Pin Count 8
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer Infineon Avalanche Energy Rating (Eas) 350 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V Drain Current-Max (ID) 17 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0046 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-N8 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 8 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400 A Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

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부품 포인트

  • The BSC046N10NS3G is a power MOSFET chip from Infineon Technologies. It is designed for various applications and offers a low on-resistance and high power capability. The chip features a low switching and conduction losses, making it efficient in power management systems. With its compact size and high performance, the BSC046N10NS3G chip is suitable for a wide range of power electronics applications.
  • Equivalent

    BSC046N10NS3G chip does not have any direct equivalent products. The chip, produced by Infineon Technologies, is a N-channel power MOSFET designed for applications such as motor control and DC-DC conversion.
  • Features

    The BSC046N10NS3G is a power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 46A. It has a low ON resistance, high power dissipation capability, and is suitable for various applications such as power tools, motor control, and power supplies.
  • Pinout

    The BSC046N10NS3G is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 2 (Drain and Source) and is commonly used for power management applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BSC046N10NS3G is Infineon Technologies AG. Infineon is a global semiconductor company that specializes in manufacturing and designing a wide range of electronic components and systems. It offers products for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics, among others.
  • Application Field

    The BSC046N10NS3G is a power MOSFET transistor that can be used in various application areas, including power supplies, motor control, automotive systems, and battery management. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for applications that require efficient power switching and high-performance electronic systems.
  • Package

    The BSC046N10NS3G chip is available in a TO-220 package type, with a form of through-hole mounting. The package size is typically around 10.3mm in length, 9.5mm in width, and 4.6mm in height.

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