이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

Infineon BSC028N06NSTATMA1 48HRS

Transistor MOSFET N-Channel 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSC028N06NSTATMA1

데이터 시트: BSC028N06NSTATMA1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: PG-TDSON-8

RoHS 상태:

재고상태: 2588 PC, 새로운 원본

상품 유형: 기타 구성요소

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량 단가 추가 가격
1 $1.424 $1.424
10 $1.216 $12.160
30 $1.099 $32.970
100 $0.970 $97.000
500 $0.913 $456.500
1000 $0.886 $886.000

In Stock:2588 PCS

- +

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. BSC028N06NSTATMA1 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

BSC028N06NSTATMA1 일반적인 설명

The BSC028N06NSTATMA1 is a N-channel 60V Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. This MOSFET is part of the OptiMOS™ 5 family and is designed for high-performance power electronics applications.The BSC028N06NSTATMA1 has a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current rating of 130A. This makes it suitable for a wide range of power supply, motor control, and automotive applications where high power handling capabilities are required.This MOSFET features an ultra-low ON-state resistance of 2.8 mΩ, which helps to minimize power losses and improve efficiency in applications where high current is being switched.The BSC028N06NSTATMA1 also features a strong gate charge profile, allowing for fast and efficient switching performance. This makes it ideal for applications that require high frequency switching or rapid response times.In addition, the BSC028N06NSTATMA1 is housed in a TO-220 package, which provides excellent thermal performance and reliability. This package is also compatible with standard through-hole PCB mounting techniques, making it easy to integrate into existing designs.

bsc028n06nstatma1

특징

  • N-channel MOSFET
  • Optimized for synchronous rectification
  • Low on-resistance
  • High power efficiency
  • Fast switching speed
  • Low gate charge
  • Avalanche-rated
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • Lead (Pb)-free

애플리케이션

  • Automotive applications
  • Industrial automation
  • Power management systems
  • Motor control systems
  • Robotics

명세서

매개변수 매개변수
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo RoHS compliant, tape&reel, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr Y17 productClassification ASP
productStatusInfo active hfgr A
packageName PG-TDSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP001666498
fourBlockPackageName PG-TDSON-8-7 rohsCompliant yes
opn BSC028N06NSTATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP001666498

배송

배송 유형 배송비 리드타임
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
등기 항공 우편 등기 항공 우편 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건 핸드 수수료
은행 송금 은행 송금 US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
페이팔 페이팔 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
신용 카드 신용 카드 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
웨스턴 유니언 웨스턴 유니언 charge US.00 banking fee.
돈 그램 돈 그램 US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

    단계2 :진공 포장

  • 정전기 방지 가방

    단계3 :정전기 방지 가방

  • 개별 포장

    단계4 :개별 포장

  • 포장 상자

    단계5 :포장 상자

  • 바코드 배송 태그

    단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

  • ESD
  • ESD

부품 포인트

  • The BSC028N06NSTATMA1 chip is a N-channel power MOSFET developed by Infineon Technologies. It is designed for low voltage automotive applications, such as powertrain systems and body electronics. The chip offers high efficiency and low on-resistance, making it suitable for high-current applications. It also includes a built-in protective feature to prevent damage from overcurrent and overtemperature conditions.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSC028N06NSTATMA1 chip include the BSC027N06NSTATMA1, BSC029N06NSTATMA1, and BSC030N06NSTATMA1 chips, all of which are manufactured by Infineon Technologies.
  • Features

    The BSC028N06NSTATMA1 is a N-channel enhancement mode power MOSFET. It features a drain-source voltage rating of 60 volts and a continuous drain current of 74 amperes. It has a low on-resistance of 2.8 milliohms, making it suitable for high current applications. The MOSFET also offers a robust design and excellent thermal performance.
  • Pinout

    The BSC028N06NSTATMA1 is a power MOSFET with a TO-252 package. It has three pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. The Drain pin carries the load current, and the Source pin is connected to the source of the MOSFET's internal transistor.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC028N06NSTATMA1. It is a German semiconductor company specializing in power semiconductors, microcontrollers, and sensors.
  • Application Field

    The BSC028N06NSTATMA1 is a power MOSFET commonly used in various applications such as power supplies, motor controls, automotive systems, and industrial equipment. It is ideally suited for high current applications due to its low on-resistance and high efficiency.
  • Package

    The BSC028N06NSTATMA1 chip is a power MOSFET with a TO-220 package type. It has a through-hole form and a size of TO-220-3-1.

데이터 시트 PDF

예비사양 BSC028N06NSTATMA1 PDF 다운로드

우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.

  • 제품

    우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.

  • quantity

    최소 주문 수량은 1개부터입니다.

  • shipping

    최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다

  • 보장하다

    모든 제품에 대해 365일 품질 보증

평가 및 리뷰

평가
제품을 평가해주세요!
댓글을 입력해주세요

귀하의 계정에 로그인하신 후 의견을 제출해 주십시오.

제출하다

추천하다

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...