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Infineon BSC026N08NS5ATMA1

Name: BSC026N08NS5ATMA1
Rating: 4.5 (6 reviews)

Transistor MOSFET N-channel

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSC026N08NS5ATMA1

데이터 시트: BSC026N08NS5ATMA1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: PG-TDSON-8

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3803 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC026N08NS5ATMA1 일반적인 설명

The BSC026N08NS5ATMA1 is a Power MOSFET transistor produced by Infineon Technologies AG. It is a N-channel enhancement mode device with a drain-source voltage (VDS) of 80V and a continuous drain current (ID) of 100A. The transistor is housed in a TO-252 package and has a low on-resistance of 2.6mΩ, making it suitable for a wide range of high power applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.The BSC026N08NS5ATMA1 features a gate threshold voltage (VGS(th)) of 2V and a gate-source voltage (VGS) of ±20V, improving its compatibility with standard drive circuits. The transistor has a maximum junction temperature of 175°C and a thermal resistance junction-to-ambient of 62°C/W.The BSC026N08NS5ATMA1 is designed for high efficiency and reliability, with a rugged silicon design ensuring robust performance in harsh environments. Infineon's advanced packaging technology also enhances thermal performance, allowing for efficient heat dissipation during operation.

특징

800 V N-channel power MOSFET
8 mΩ max. on-state resistance
26 A continuous drain current
100% avalanche tested
Low Qg and Qrr for high efficiency
Optimized for synchronous rectification
TO-220 package with low thermal resistance

애플리케이션

Automotive
Industrial
Power management systems
Motor control applications
Robotics
Renewable energy systems
Battery management systems
Electronic speed controllers
Uninterruptible power supplies
Switched-mode power supplies

명세서

매개변수	값	매개변수	값
functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing	SuperSO8 5x6	msl	1
halogenFree	yes	customerInfo	STANDARD
fgr	V76	productClassification	ASP
productStatusInfo	active and preferred	hfgr	A
packageName	PG-TDSON-8	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP001154276
fourBlockPackageName	PG-TDSON-8-6	rohsCompliant	yes
opn	BSC026N08NS5ATMA1	completelyPbFree	no
sapMatnrSali	SP001154276

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부품 포인트

The BSC026N08NS5ATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for various applications. It offers a low on-resistance and high efficiency, making it suitable for power management and control circuitry. With its compact size and excellent thermal performance, this chip provides reliable and efficient operation in a wide range of electronic devices.
Equivalent

Some equivalent products of the BSC026N08NS5ATMA1 chip include the BSC007N06NS5ATMA1, BSC015N04NS5ATMA1, and BSC061N03NS5ATMA1. These chips have similar characteristics and can be used as substitutes for the BSC026N08NS5ATMA1 in various electronic applications.
Features

The BSC026N08NS5ATMA1 is a MOSFET transistor with a voltage rating of 80V and a current rating of 142A. It has a low on-resistance of 2.6mΩ and a gate charge of 30nC. The transistor is designed for high-power applications, offering efficient switching performance and low power dissipation.
Pinout

The BSC026N08NS5ATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 8. It is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and battery management systems. The specific functions of each pin include gate, source, and drain connections for controlling the flow of current through the device.
Manufacturer

Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC026N08NS5ATMA1. It is a German company specializing in semiconductor solutions, including power management, sensors, and automotive electronics.
Application Field

The BSC026N08NS5ATMA1 is a power MOSFET and can be used in various applications including power supplies, motor control, and automotive electronics. It is particularly suitable for applications that require high power density, low on-resistance, and high efficiency.
Package

The BSC026N08NS5ATMA1 chip has a package type known as power-smd. It comes in a 8mm x 8mm format with a thickness of approximately 1.45mm.