이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

Infineon BSC014N04LSATMA1

OptiMOS N-channel MOSFET with 40V and 100A rating in TDSON-8 package

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: BSC014N04LSATMA1

데이터 시트: BSC014N04LSATMA1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: PG-TDSON-8

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3251 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM에 추가

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. BSC014N04LSATMA1 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

BSC014N04LSATMA1 일반적인 설명

The BSC014N04LSATMA1 is a N-channel 40V Power MOSFET produced by Infineon Technologies. It is designed for use in a wide range of applications, including DC-DC converters, motor control, and power management systems. This MOSFET has a low on-state resistance of 1.4mΩ, allowing for efficient power conversion with minimal power loss. It has a continuous drain current rating of 100A, making it suitable for high-power applications. The BSC014N04LSATMA1 is housed in a TO-263 package, which provides thermal benefits for improved performance and reliability. It can operate in temperatures ranging from -55°C to 175°C, ensuring it can withstand harsh environmental conditions. Furthermore, this MOSFET is RoHS compliant, making it environmentally friendly and safe for use in various electronic devices. Its compact size and high power-handling capabilities make it an ideal choice for space-constrained applications where high performance is required. In conclusion, the BSC014N04LSATMA1 is a versatile and reliable power MOSFET suitable for a wide range of applications, offering high efficiency, low power loss, and excellent thermal performance. Its robust design and high current rating make it a popular choice among designers looking for a high-performance solution for their power management needs

bsc014n04lsatma1

특징

  • N-channel MOSFET
  • 40V drain-source voltage
  • 12A continuous drain current
  • 8.1 mohm RDS(on) resistance
  • Logic level compatible
  • Optimized for synchronous rectification
  • Low conduction and switching losses
  • High efficiency in power conversion applications
  • Enhanced thermal performance

애플리케이션

  • Power management systems
  • Automotive applications
  • Industrial applications
  • Renewable energy systems
  • Motor control
  • Robotics
  • LED lighting systems
  • Battery management systems
  • Consumer electronics
  • Medical devices

명세서

매개변수 매개변수
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo MS, RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr R10 productClassification COM
productStatusInfo active and preferred hfgr A
packageName PG-TDSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP000871196
fourBlockPackageName PG-TDSON-8-7 rohsCompliant yes
opn BSC014N04LSATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP000871196

배송

배송 유형 배송비 리드타임
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
Fedex 페덱스 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날
등기 항공 우편 등기 항공 우편 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건 핸드 수수료
은행 송금 은행 송금 US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
페이팔 페이팔 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
신용 카드 신용 카드 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
웨스턴 유니언 웨스턴 유니언 charge US.00 banking fee.
돈 그램 돈 그램 US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

  • 제품

    단계1 :제품

  • 진공 포장

    단계2 :진공 포장

  • 정전기 방지 가방

    단계3 :정전기 방지 가방

  • 개별 포장

    단계4 :개별 포장

  • 포장 상자

    단계5 :포장 상자

  • 바코드 배송 태그

    단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

  • ESD
  • ESD

부품 포인트

  • The BSC014N04LSATMA1 chip is a power MOSFET transistor manufactured by Infineon Technologies. It is designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and other electronic devices. It features a low on-state resistance, high current capability, and excellent thermal performance. The chip is suitable for a wide range of industrial and automotive applications that require efficient and reliable power management.
  • Equivalent

    Some equivalent products of BSC014N04LSATMA1 chip may include BSS138, BSS84, and BSS294.
  • Features

    The BSC014N04LSATMA1 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage rating of 40V, a continuous drain current of 100A, and a low on-resistance of 1.4 mΩ. It offers efficient power conversion, high current handling capability, and low power losses.
  • Pinout

    The BSC014N04LSATMA1 is a power MOSFET with 8 pins. It is used for power switching applications, offering a low on-resistance and high current rating. The specific pin-out and functions can be found in the datasheet of the component.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BSC014N04LSATMA1 is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that specializes in manufacturing power semiconductors, microcontrollers, and sensors.
  • Application Field

    The BSC014N04LSATMA1 is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as power conversion systems, motor drives, and industrial control systems. It is designed to handle high voltage and current levels, making it suitable for demanding applications where efficient power management is required.
  • Package

    The BSC014N04LSATMA1 chip comes in a D²PAK (TO-263) package with a form factor of Surface Mount Device (SMD). The package size is typically around 10.4mm x 15.6mm x 4.5mm.

데이터 시트 PDF

예비사양 BSC014N04LSATMA1 PDF 다운로드

우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.

  • 제품

    우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.

  • quantity

    최소 주문 수량은 1개부터입니다.

  • shipping

    최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다

  • 보장하다

    모든 제품에 대해 365일 품질 보증

평가 및 리뷰

평가
제품을 평가해주세요!
댓글을 입력해주세요

귀하의 계정에 로그인하신 후 의견을 제출해 주십시오.

제출하다

추천하다

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...