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71V67703S85BGG

SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Renesas Electronics

제조업체부품 #: 71V67703S85BGG

데이터 시트: 71V67703S85BGG 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스:

RoHS 상태:

재고상태: 9285 PC, 새로운 원본

상품 유형: SRAM

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71V67703S85BGG 일반적인 설명

The 71V67703 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 36. The 71V67703 SRAM contains write, data, address and control registers. There are no registers in the data output path (flow-through architecture). The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

특징

  • Fast access times 7.5ns up to 117MHz clock frequency
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
  • enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O supply (VDDQ)
  • Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages

명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer Renesas Electronics Product Category SRAM
RoHS Details Memory Size 9 Mbit
Organization 256 k x 36 Access Time 8.5 ns
Maximum Clock Frequency 87 MHz Interface Type Parallel
Supply Voltage - Max 3.465 V Supply Voltage - Min 3.135 V
Supply Current - Max 190 mA Minimum Operating Temperature 0 C
Maximum Operating Temperature + 70 C Mounting Style SMD/SMT
Package / Case PBGA-119 Brand Renesas Electronics
Height 2.15 mm Length 14 mm
Memory Type SDR Moisture Sensitive Yes
Product Type SRAM Series 71V67703S85
Factory Pack Quantity 84 Subcategory Memory & Data Storage
Type Synchronous Width 22 mm
Part # Aliases IDT71V67703S85BGG 71V67703

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