71V67703S85BGG
SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
브랜드: Renesas Electronics
제조업체부품 #: 71V67703S85BGG
데이터 시트: 71V67703S85BGG 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스:
RoHS 상태:
재고상태: 9285 PC, 새로운 원본
상품 유형: SRAM
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수량 | 단가 | 추가 가격 |
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1 | $26.480 | $26.480 |
200 | $10.247 | $2049.400 |
500 | $9.888 | $4944.000 |
1000 | $9.710 | $9710.000 |
In Stock:9285 PCS
71V67703S85BGG 일반적인 설명
The 71V67703 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 36. The 71V67703 SRAM contains write, data, address and control registers. There are no registers in the data output path (flow-through architecture). The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
특징
- Fast access times 7.5ns up to 117MHz clock frequency
- LBO input selects interleaved or linear burst mode
- Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
- enable (BWE), and byte writes (BWx)
- 3.3V core power supply
- Power down controlled by ZZ input
- 3.3V I/O supply (VDDQ)
- Available in 100-pin TQFP, 119-pin BGA and 165 fpBGA packages
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer | Renesas Electronics | Product Category | SRAM |
RoHS | Details | Memory Size | 9 Mbit |
Organization | 256 k x 36 | Access Time | 8.5 ns |
Maximum Clock Frequency | 87 MHz | Interface Type | Parallel |
Supply Voltage - Max | 3.465 V | Supply Voltage - Min | 3.135 V |
Supply Current - Max | 190 mA | Minimum Operating Temperature | 0 C |
Maximum Operating Temperature | + 70 C | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | PBGA-119 | Brand | Renesas Electronics |
Height | 2.15 mm | Length | 14 mm |
Memory Type | SDR | Moisture Sensitive | Yes |
Product Type | SRAM | Series | 71V67703S85 |
Factory Pack Quantity | 84 | Subcategory | Memory & Data Storage |
Type | Synchronous | Width | 22 mm |
Part # Aliases | IDT71V67703S85BGG 71V67703 |
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