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W971GG8JB-25

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gbit Parallel 200 MHz 57.5 ns 60-WBGA (8x12.5)

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Winbond Electronics

제조업체부품 #: W971GG8JB-25

데이터 시트: W971GG8JB-25 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: 60-TFBGA

RoHS 상태:

재고상태: 5727 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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W971GG8JB-25 일반적인 설명

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gbit Parallel 200 MHz 57.5 ns 60-WBGA (8x12.5)

특징

Power Supply: VDD, VDDQ = 1.8 V0.1 V

Double Data Rate architecture: two data transfers per clock cycle

CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7

Burst Length: 4 and 8

Bi-directional, differential data strobes (DQS and DQS ) are transmitted / received with data

Edge-aligned with Read data and center-aligned with Write data

DLL aligns DQ and DQS transitions with clock

Differential clock inputs (CLK and CLK )

Data masks (DM) for write data.

Commands entered on each positive CLK edge, data and data mask are referenced to both edges of DQS

Posted CAS programmable additive latency supported to make command and data bus efficiency

Read Latency = Additive Latency plus CAS Latency (RL = AL + CL)

Off-Chip-Driver impedance adjustment (OCD) and On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Auto-precharge operation for read and write bursts

Auto Refresh and Self Refresh modes

Precharged Power Down and Active Power Down

Write Data Mask

Write Latency = Read Latency - 1 (WL = RL - 1)

Interface: SSTL_18

Packaged in WBGA 60 Ball (8x12.5 mm2), using Lead free materials with RoHS compliant

명세서

매개변수 매개변수
Package Tube Product Status Obsolete
Programmabe Not Verified Memory Type Volatile
Memory Format DRAM Technology SDRAM - DDR2
Memory Size 1Gbit Memory Organization 128M x 8
Memory Interface Parallel Clock Frequency 200 MHz
Write Cycle Time - Word, Page 15ns Access Time 57.5 ns
Voltage - Supply 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature 0°C ~ 85°C (TC)
Mounting Type Surface Mount Package / Case 60-TFBGA
Supplier Device Package 60-WBGA (8x12.5)

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