이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기
주문 금액이
$5000
ON 2SC4135T-E
(-)100V (-)2A Bipolar Transistor designed for efficient high-voltage switching applications with low VCE(sat)
브랜드: Onsemi
제조업체부품 #: 2SC4135T-E
데이터 시트: 2SC4135T-E Datasheet (PDF)
패키지/케이스: IPAK
RoHS 상태:
재고상태: 3,314 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*모든 가격은 USD 단위입니다.
| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $0.397 | $0.397 |
| 200 | $0.153 | $30.600 |
| 500 | $0.148 | $74.000 |
| 1000 | $0.146 | $146.000 |
재고: 3,314 PCS
2SC4135T-E 일반적인 설명
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 120MHz 1 W Through Hole TP
특징
- Advanced algorithms for data compression and encryption
- Fault-tolerant architecture for reliable operation
- Rapid recovery from power failures or errors
- Multimode communication protocol for diverse applications
애플리케이션
- High speed data transfer
- Low power consumption
- Compact design for tight spaces
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Status | Last Shipments | Compliance | PbAHP |
| Package Type | IPAK / TP | Case Outline | 369AJ |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | BLKBG | Container Qty. | 500 |
| ON Target | N | Polarity | NPN |
| Type | Low VCE(sat) | VCE(sat) Max (V) | 0.4 |
| IC Cont. (A) | 2 | VCEO Min (V) | 100 |
| VCBO (V) | 120 | VEBO (V) | 6 |
| VBE(sat) (V) | 0.85 | hFE Min | 200 |
| hFE Max | 400 | PTM Max (W) | 1 |
| Pricing ($/Unit) | Price N/A |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
 |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
![제품]( "제품")
단계1 :제품
-
![진공 포장]( "진공 포장")
단계2 :진공 포장
-
![정전기 방지 가방]( "정전기 방지 가방")
단계3 :정전기 방지 가방
-
![개별 포장]( "개별 포장")
단계4 :개별 포장
-
![포장 상자]( "포장 상자")
단계5 :포장 상자
-
![바코드 배송 태그]( "바코드 배송 태그")
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
The 2SC4135T-E chip is a high-power, high-frequency transistor developed by Toshiba. It is used in a range of applications, including audio amplifiers, RF power amplifiers, and industrial equipment. The chip offers excellent performance and reliability, making it a popular choice for professionals in various industries.
-
Equivalent
There are no direct equivalent products for the 2SC4135T-E chip. However, alternatives that may be used instead include the 2SC4135 transistor or other similar high-speed switching transistors like the 2SC4137 or 2SC4136, depending on the specific application requirements. -
Features
The 2SC4135T-E is a silicon NPN triple diffusion mesa type transistor. It features high breakdown voltage, low saturation voltage, and high-speed switching. Its compact size and high reliability make it suitable for applications in various electronic devices. -
Pinout
The 2SC4135T-E is a 3-pin NPN transistor with a collector current of 1.5A and a collector-emitter voltage of 120V. The pins are labeled as follows: Pin 1: Emitter, Pin 2: Base, Pin 3: Collector. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2SC4135T-E is Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation. Toshiba is a multinational conglomerate company that operates in various industries, including electronic devices, semiconductors, and storage products. They specialize in the development and manufacturing of a wide range of consumer electronics and industrial products. -
Application Field
The 2SC4135T-E is a high-frequency transistor commonly used in applications such as low noise amplifiers, oscillators, and RF power amplifiers. Its high gain, low noise figure, and suitable power handling capabilities make it well-suited for use in wireless communication systems, radar systems, and other high-frequency electronic devices. -
Package
The 2SC4135T-E chip is a surface-mount transistor package type with a TO-252(DPAK) form factor and a size of approximately 6.5mm x 6.1mm x 2.27mm.
데이터 시트 PDF
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
![제품]( "제품")
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
![quantity]( "quantity")
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
![shipping]( "shipping")
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
![보장하다]( "보장하다")
모든 제품에 대해 365일 품질 보증
