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2SB1218A

PNP Transistors

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD

제조업체부품 #: 2SB1218A

데이터 시트: 2SB1218A 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT323

상품 유형: Single Bipolar Transistors

RoHS 상태:

재고상태: 9,323 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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2SB1218A 일반적인 설명

Product 2SB1218A is a General Purpose PNP Bipolar Transistor with a V(BR)CEO minimum of 45V and a maximum IC of 0.2A. The transistor has a minimum HFE of 160 and a maximum HFE of 460, with a VCE of 10V and IC of 2mA. Additionally, the VCE(SAT) is 0.5V with a IC of 100mA and IB of 10mA

특징

  • High foward current transfer ratio hFE.
  • S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing.

명세서

매개변수 매개변수
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Part Package Code SOT-323 Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Collector Current-Max (IC) 0.2 A Collector-Emitter Voltage-Max 45 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 160
JESD-30 Code R-PDSO-G3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type PNP Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 80 MHz Product Status Obsolete
Transistor Type PNP Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 2mA, 10V
Power - Max 150 mW Frequency - Transition 80MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323 Supplier Device Package SMini3-G1
Base Product Number 2SB1218

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