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MMBT5551-7-F

Name: MMBT5551-7-F
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3Pin SOT23 | Diodes Inc MMBT5551-7-F

브랜드: Diodes Incorporated

제조업체부품 #: MMBT5551-7-F

데이터 시트: MMBT5551-7-F 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 6,265 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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수량	단가	추가 가격
20	$0.022	$0.440
200	$0.019	$3.800
600	$0.018	$10.800
3000	$0.015	$45.000
9000	$0.014	$126.000
21000	$0.014	$294.000

재고: 6,265 PCS

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MMBT5551-7-F 일반적인 설명

The MMBT5551-7-F transistor is a versatile and high-performing NPN transistor suitable for a wide range of electronic applications. With a collector-emitter voltage rating of 160V and a maximum power dissipation of 300mW, it can handle demanding operating conditions with ease. The transistor has a DC collector current of 600mA and a DC current gain of 80hFE, providing reliable and stable performance. Its compact SOT-23 package with 3 pins allows for easy PCB layout and space-saving designs. The transistor has an operating temperature range of -55°C to +150°C, making it suitable for use in various environmental conditions

특징

Epitaxial Planar Die Construction
Complementary PNP Type Available (MMBT5401)
Ideal for Low Power Amplification and Switching
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant
"Green" Device (Notes 2 and 3)

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Status	Active	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	600 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Power - Max	300 mW
Frequency - Transition	300MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automotive	Qualification	AEC-Q101
Mounting Type	Surface Mount	Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package	SOT-23-3

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