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ON 2N5190G

Name: 2N5190G
Brand: Onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

Bipolar Junction Transistors

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: 2N5190G

데이터 시트: 2N5190G Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-225-3

상품 유형: Single Bipolar Transistors

RoHS 상태:

재고상태: 3,343 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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2N5190G 일반적인 설명

The 2N5190G is a bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplifier and switching applications. It belongs to the NPN (negative-positive-negative) transistor family, meaning it conducts when a small current flows into its base.Its key specifications include a maximum collector current (Ic) of 1A, a maximum collector-emitter voltage (Vce) of 80V, and a power dissipation (Pd) of 800mW. These parameters determine the transistor's capability to handle current and voltage without damage.The transistor comes in a TO-92 package, a common small-sized package suitable for various electronic circuits. Its compact size makes it versatile and easy to integrate into different electronic designs.The 2N5190G's gain bandwidth product (ft) is typically 150MHz, indicating its suitability for applications requiring moderate-frequency amplification.This transistor offers high current gain (hFE) ranging from 60 to 150, providing efficient signal amplification in a wide range of applications.

특징

This NPN transistor features excellent temperature stability
It can withstand high temperatures up to 150°C
The transistor's low input impedance ensures efficient operation
Its high-frequency performance is also noteworthy

애플리케이션

High-power transistor for RF applications
Perfect for audio amplifier stages
Ideal for transmitter and receiver systems

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	TO-225-3	Case Outline	77-09
MSL Type	NA	MSL Temp (°C)	0
Container Type	BLKBX	Container Qty.	500
ON Target	N	Polarity	NPN
Type	General Purpose	VCE(sat) Max (V)	0.6
IC Cont. (A)	4	VCEO Min (V)	40
VCBO (V)	40	VEBO (V)	5
VBE(on) (V)	1.2	hFE Min	25
hFE Max	100	fT Min (MHz)	2
PTM Max (W)	40

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부품 포인트

The 2N5190G is a high-frequency NPN transistor chip designed for use in RF and microwave applications. It offers a high power gain, low noise figure, and high reliability. The chip is commonly used in wireless communication systems, radar systems, and amplifiers where high-frequency performance is required.
Features

The 2N5190G is a bipolar general-purpose transistor with a maximum collector current of 800 mA. It has a low saturation voltage of 0.25V, high current gain, and is designed for switching applications. It operates at a maximum power dissipation of 800 mW and is housed in a TO-92 package.
Pinout

The 2N5190G is a transistor that has 3 pins. The function of the pins on the 2N5190G are as follows: Pin 1 is the base, Pin 2 is the collector, and Pin 3 is the emitter.
Manufacturer

2N5190G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that specializes in power management, analog, logic, mixed-signal, and discrete devices. They design, produce, and distribute a wide range of semiconductor components used in various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and more.
Application Field

The 2N5190G is a general-purpose NPN bipolar transistor mainly used in various low-power amplification and switching applications. It can be found in audio amplifiers, small signal amplifiers, oscillator circuits, and general-purpose switching circuits.
Package

The 2N5190G chip comes in a TO-92 package, which is commonly used for discrete semiconductors. This package has three leads (pins) and a small size, measuring approximately 4.45mm x 4.45mm x 4.32mm.