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$5000UF3C120040K3S
1200V P-Channel 65A TO-247-3 Through Hole
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브랜드: Qorvo
제조업체부품 #: UF3C120040K3S
데이터 시트: UF3C120040K3S 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
UF3C120040K3S 일반적인 설명
In conclusion, the UF3C120040K3S embodies the pinnacle of silicon carbide technology, delivering exceptional efficiency, durability, and performance across a wide spectrum of high-voltage applications. Its innovative design, coupled with advanced features like low on-state resistance and high avalanche energy rating, positions it as a reliable and versatile solution for industries ranging from renewable energy to transportation. Embrace the future of power semiconductor technology with the UF3C120040K3S and experience unrivaled power and reliability in your high-power applications
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Package | Tube | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 40A, 12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
Vgs (Max) | ±25V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
Power Dissipation (Max) | 429W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3 |
Package / Case | TO-247-3 |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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