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UF3C065030B3

Name: UF3C065030B3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Silicon-carbide based power transistor for high-performance system

브랜드: QORVO

제조업체부품 #: UF3C065030B3

데이터 시트: UF3C065030B3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: D2PAK-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,485 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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UF3C065030B3 일반적인 설명

Furthermore, the UF3C065030B3 excels in thermal management, owing to its state-of-the-art packaging design featuring a high thermal conductivity substrate and low thermal resistance between the transistors and the heatsink. This design enables reliable operation at high temperatures and power levels, offering peace of mind in demanding operating conditions. In addition, the module incorporates advanced protection features against overcurrent and overtemperature scenarios, guaranteeing safe and secure operation. Its fast and robust intrinsic diode enables efficient freewheeling during reverse current flow, further enhancing its reliability and performance

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	-	Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	65A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 40A, 12V	Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 15 V	Vgs (Max)	±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 100 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	242W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	TO-263 (D2Pak)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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단계5 :포장 상자
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부품 포인트

The UF3C065030B3 is a silicon carbide (SiC) MOSFET chip designed for high power and high temperature applications. It offers low losses, high efficiency, and fast switching capabilities. This chip is suitable for use in power electronic systems, such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial machinery.
Equivalent

The equivalent products of UF3C065030B3 chip are the STFSC10H65B3, STFSC10H65B3Y, and STFSC10H65B3Y3 chips. These chips are also high voltage SiC technologies that offer similar performance and features as the UF3C065030B3 chip.
Features

1. 650V Silicon Carbide Power MOSFET 2. 30mΩ on-resistance 3. FAST diode recovery 4. High-speed switching 5. Low gate charge 6. High thermal conductivity 7. Low capacitance 8. Enhanced ruggedness 9. Reduction in overall system cost and size 10. Ideal for high-frequency, high-power applications.
Pinout

The UF3C065030B3 is a 3-pin device with two power pins and one gate pin. Pin 1 is the source, pin 2 is the gate, and pin 3 is the drain. It is a 650V, 3A SiC FET designed for high efficiency power conversion applications.
Manufacturer

UnitedSiC is the manufacturer of the UF3C065030B3. It is a semiconductor company that specializes in the design and manufacturing of silicon carbide power semiconductors. UnitedSiC focuses on delivering high performance and efficient solutions for power electronics applications in industries such as automotive, industrial, and renewable energy.
Application Field

The UF3C065030B3 is primarily used in power supply applications, motor drives, renewable energy systems, and industrial automation. Its high voltage and current capabilities make it suitable for high-power applications where efficiency and reliability are crucial. It is commonly used in inverters, converters, and power management systems in various industries.
Package

The UF3C065030B3 chip comes in a TO-247 package type. It is in the form of a discrete semiconductor device and has a size of 10.66mm x 5.59mm x 4.57mm.