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$5000TGA2535-SM
Low noise RF Amplifier operating between 10-12GHz, providing a gain of 25dBm and a noise figure of 10dB
TGA2535-SM 일반적인 설명
The TGA2535-SM is a high-frequency RF amplifier designed for use in demanding applications such as satellite communications, radar systems, and electronic countermeasures. It operates in the frequency range of 100 MHz to 30 GHz, providing high gain and low noise figure to ensure optimal performance in various communication systems.This amplifier offers a saturated output power of up to 2 watts, making it suitable for high-power applications that require reliable and robust performance. It also has an integrated power detector for accurate power monitoring and control, as well as built-in protection features to safeguard against overdrive and thermal issues.The TGA2535-SM is housed in a compact surface-mount package, making it easy to integrate into existing systems. It operates on a single positive supply voltage and is designed to withstand harsh environmental conditions, making it ideal for use in military and aerospace applications where reliability is crucial.
특징
- The main features of TGA25-45 X-Band Power Amplifier include:
- - Frequency Range: 9 – 14 GHz
- - Power Output: 33 dBm Psat, 30 dBm P1dB, TOI: 41 dBm
- - Gain: 25 dB, Return Loss: 13 dB, Bias Vd = 5V, Id = 1A
애플리케이션
- Enhance your signal strength
- Upgrade your communication
- Boost your data transmission
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | RF Amplifier | RoHS | Details |
| Operating Frequency | 10 GHz to 12 GHz | Operating Supply Voltage | 6 V |
| Operating Supply Current | 1.3 A | Gain | 24 dB |
| NF - Noise Figure | 10 dB | Type | Power Amplifiers |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | QFN-24 |
| Technology | GaAs | P1dB - Compression Point | 33 dBm |
| OIP3 - Third Order Intercept | 43 dBm | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature | + 85 C | Series | TGA2535 |
| Brand | Qorvo | Product Type | RF Amplifier |
| Factory Pack Quantity | 500 | Subcategory | Wireless & RF Integrated Circuits |
| Part # Aliases | TGA2535 1081731 |
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부품 포인트
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The TGA2535-SM is a high-performance gallium nitride (GaN) power amplifier chip designed for use in satellite communication and radar applications. It offers high power efficiency, wide frequency coverage, and high linearity, making it ideal for demanding communication systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the TGA2535-SM chip include TGA2535-FL, TGA2535-CP, and TGA2535-EP. These chips offer similar performance and functionality, making them suitable alternatives for various applications requiring high-frequency RF amplification. -
Features
- Wide bandwidth of 27-38 GHz - High output power of 5W - High efficiency of 25% - Small form factor and lightweight - Good linearity and gain flatness - Ideal for communication and radar applications -
Pinout
The TGA2535-SM is a high-power amplifier with a pin count of 12. It is designed for operation from DC to 12 GHz and offers 8W of saturated output power. The device features integrated power detectors and on-chip temperature-compensated RF power detectors. -
Manufacturer
The manufacturer of TGA2535-SM is Qorvo. Qorvo is an American semiconductor company that designs and manufactures radio frequency solutions for a variety of industries including mobile devices, networking, and aerospace. The TGA2535-SM is a gallium nitride (GaN) power amplifier that is commonly used in radar, electronic warfare, and communications applications. -
Application Field
The TGA2535-SM is commonly used in microwave communication, radar systems, satellite communication, and test and measurement applications. It is also suitable for military and aerospace applications due to its high performance and reliability. -
Package
The TGA2535-SM chip comes in a surface-mount package type, specifically a 5x5mm QFN form. The chip has a size of 5x5 mm.
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