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$5000vishay SUP70101EL-GE3
100V P-Channel MOSFET with 120A Rating
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SUP70101EL-GE3
데이터 시트: SUP70101EL-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO220-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SUP70101EL-GE3 일반적인 설명
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
특징
- Industry-leading power efficiency
- Compact and reliable design
- Economical power consumption
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 | Transistor Polarity: | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.4 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge: | 125 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Series: | SUP |
| Packaging: | Tube | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 40 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 40 ns | Factory Pack Quantity: | 500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Unit Weight: | 0.068784 oz |
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부품 포인트
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The SUP70101EL-GE3 chip is a power management IC (PMIC) manufactured by Vishay Intertechnology. It's designed for use in various applications, including portable devices, industrial equipment, and automotive systems. The chip offers efficient power management solutions, integrating multiple functions such as voltage regulation, battery charging, and power sequencing, contributing to improved performance and reliability in electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of SUP70101EL-GE3 chip are FHP66101EL and FHG 42102EL BJ. These chips are also high-voltage MOSFETs suitable for use in automotive applications. -
Features
- High efficiency GaN power transistor - Operating frequency up to 6GHz - Power density up to 14W/mm - Low thermal resistance - Suitable for use in RF power amplifiers, small cell and DAS applications - Can handle high voltage operation up to 24V - RoHS compliant and halogen-free -
Pinout
The SUP70101EL-GE3 is a quad-channel PIN photodiode with a pin count of 5. Pin functions include Vcc (Power supply), GND (Ground), and 4 channels for photodiode outputs. It is used for optical communication and sensing applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SUP70101EL-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that specializes in the design, manufacture, and distribution of electronic components such as discrete semiconductors and passive components. They serve a wide range of industries including aerospace, automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
The SUP70101EL-GE3 is a high-performance gallium nitride (GaN) power transistor designed for use in high-speed power conversion applications such as power supplies, adapters, motor drives, and renewable energy systems. It offers improved efficiency, lower energy consumption, and higher power density compared to traditional silicon-based transistors. -
Package
The SUP70101EL-GE3 chip comes in a surface-mount package type with a QFN form. It has dimensions of 3mm x 3mm and a package size of 10mm x 10mm.
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