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ST STP11NM60FD

Name: STP11NM60FD
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-channel MOSFET with 600V voltage rating and 11A current rating in TO-220 package

브랜드: Stmicroelectronics

제조업체부품 #: STP11NM60FD

데이터 시트: STP11NM60FD Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 3889 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STP11NM60FD 일반적인 설명

The STP11NM60FD is a Power MOSFET transistor manufactured by STMicroelectronics. It is designed for high-voltage applications and features a drain-source voltage (VDS) of 600V, a continuous drain current (ID) of 11A, and a low on-resistance (RDS(on)) of 0.38 ohms.This MOSFET transistor is housed in a TO-220 package and is suitable for use in a wide range of power supply, motor control, and lighting applications. It offers high efficiency and reliability due to its low on-resistance, enabling it to handle large currents while minimizing power losses and heat dissipation.The STP11NM60FD also features a fast switching speed and a low gate charge, making it ideal for high-frequency switching applications. It has a gate threshold voltage (VGS(th)) of 2-4V and a maximum gate-source voltage (VGS) of ±20V.

특징

600V VDS power MOSFET
Low on-resistance (0.31 ohm typ.)
Fast switching speed
Low gate charge
Ultra low gate charge (28nC)
High avalanche ruggedness
Suitable for high power applications
Can be used in power supplies and motor control
TO-220 packaging

애플리케이션

Power supplies
Motor control
Lighting
Industrial automation
Solar inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Electric vehicles (EV)
Home appliances

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	11 A	Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	40 nC	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	160 W
Channel Mode	Enhancement	Series	STP11NM60FD
Brand	STMicroelectronics	Configuration	Single
Fall Time	15 ns	Forward Transconductance - Min	5.2 S
Height	9.15 mm	Length	10.4 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	16 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-On Delay Time	20 ns	Width	4.6 mm
Unit Weight	0.068784 oz

배송

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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

등가 부품

에 대한 STP11NM60FD 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 : IRF7314

브랜드 : Infineon

패키지 :

설명 :

부품 번호 : IPP11N06S2L-11

브랜드 : Nexperia

패키지 :

설명 :

부품 번호 : FQPF11N60C

브랜드 :

패키지 :

설명 : by Fairchild Semiconductor

부품 번호 : AOB11N60

브랜드 :

패키지 :

설명 : by Alpha and Omega Semiconductor

부품 포인트

The STP11NM60FD is a power MOSFET chip produced by STMicroelectronics. It is designed for high power applications, such as motor control and power supplies. With a maximum drain current of 11A and a breakdown voltage of 600V, it offers efficient power switching capabilities. The chip features low on-resistance and gate charge, allowing for minimal power losses and improved efficiency.
Equivalent

Some equivalent products of the STP11NM60FD chip include IRFP260N, IRFP460N, IRF1404, and IRFB4110.
Features

The features of STP11NM60FD include a drain-source voltage of 600V, a continuous drain current of 11A, a low on-resistance of 0.65 ohms, a gate threshold voltage of 3V, a power dissipation of 68W, and a TO-220 full pack package.
Pinout

The STP11NM60FD is a MOSFET transistor. It has a pin count of 3, which include the gate (G), drain (D), and source (S). The functions of these pins are as follows: the gate controls the flow of current between the drain and source, the drain terminal allows current to flow in or out of the transistor, and the source is connected to the reference point for the current flow.
Manufacturer

STP11NM60FD is manufactured by STMicroelectronics, a multinational electronics and semiconductor company. It is one of the world's largest semiconductor chip manufacturers, with a focus on providing a wide range of integrated circuits and solutions for various industries, including automotive, industrial, personal electronics, and more.
Application Field

The STP11NM60FD is a high voltage N-channel Power MOSFET used in applications such as switch mode power supplies, lighting, motor control, and electric vehicle systems. It offers low on-resistance, high current capability, and reliable operation in high temperature environments.
Package

The STP11NM60FD chip is available in a TO-220 package type. It has a standard form and size as per the TO-220 package, which measures approximately 10.16 mm x 15.74 mm x 4.32 mm.