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$5000STP100N6F7
N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
브랜드: STMicroelectronics
제조업체부품 #: STP100N6F7
데이터 시트: STP100N6F7 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-220-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
STP100N6F7 일반적인 설명
With its groundbreaking STripFET™ F7 technology, the STP100N6F7 Power MOSFET sets a new standard for efficiency and performance in the field of power electronics. This innovative component features a unique trench gate structure that significantly lowers on-state resistance, leading to enhanced energy savings and reduced heat generation. Additionally, the advanced design helps to minimize internal capacitance and gate charge, enabling faster and more precise switching operations that benefit a wide range of applications. Whether used in industrial machinery, automotive systems, or consumer electronics, the STP100N6F7 offers unparalleled advantages in terms of reliability, efficiency, and overall performance, making it a top choice for demanding engineering projects
특징
- Low leakage current
- Rugged against voltage spikes
- Suitable for high-frequency applications
애플리케이션
- Medical
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.6 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | STripFET | Series: | STP100N6F7 |
| Packaging: | Tube | Brand: | STMicroelectronics |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 15 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 55.5 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 28.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21.6 ns |
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부품 포인트
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The STP100N6F7 is a power MOSFET chip designed for high-performance applications. It is capable of handling high voltage and current levels efficiently, making it suitable for power management tasks. This chip provides low on-resistance, fast switching, and excellent thermal performance. It is commonly used in various electronic devices and circuits that require efficient power control and management.
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Features
The STP100N6F7 is a power MOSFET transistor. It features a voltage rating of 60V, a drain current of 100A, and a low on-resistance. It is designed for use in automotive applications, industrial control, and power management systems. -
Pinout
The STP100N6F7 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. It functions as a power transistor for high energy efficiency systems with a maximum power dissipation of 100W. -
Manufacturer
The manufacturer of the STP100N6F7 is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor company that designs, develops, and manufactures a wide range of electronic products. They are known for their expertise in producing semiconductors used in various applications, such as industrial, automotive, and consumer electronics. -
Application Field
The STP100N6F7 is a power MOSFET transistor designed for high voltage and power applications. It can be used in various applications such as power supplies, motor control, industrial equipment, and automotive systems. Its high voltage and power handling capabilities make it suitable for demanding applications that require efficient power switching and control. -
Package
The STP100N6F7 chip is in a TO-220 package type, has a single form (Single Transistor), and the size is approximately 10mm x 15mm x 4.5mm.
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