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ST STGD8NC60KDT4

Power MOSFET Transistors N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: STMicroelectronics, Inc

제조업체부품 #: STGD8NC60KDT4

데이터 시트: STGD8NC60KDT4 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: DPAK-3

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2977 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STGD8NC60KDT4 일반적인 설명

IGBT, SINGLE, 600V, 15A, TO-252; DC Collector Current: 15A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.2V; Power Dissipation Pd: 62W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: PowerMESH Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

특징

  • Lower on voltage drop (VCE(sat))
  • Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
  • Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
  • Short circuit withstand time 10µs

명세서

매개변수 매개변수
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-supplier-package DPAK
feature-standard-package-name1 TO-252 feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-escc-qualified
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes feature-svhc-exceeds-threshold Yes
Series PowerMESH™ Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V Current - Collector (Ic) (Max) 15 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 30 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 3A
Power - Max 62 W Switching Energy 55µJ (on), 85µJ (off)
Input Type Standard Gate Charge 19 nC
Td (on/off) @ 25°C 17ns/72ns Test Condition 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 23.5 ns Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package DPAK

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