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ST STGB10H60DF

Name: STGB10H60DF
Brand: STMicroelectronics, Inc
Rating: 4.8 (6 reviews)

IGBT Trench Field Stop 600 V 20 A 115 W Surface Mount TO-263 (D2PAK)

브랜드: STMicroelectronics, Inc

제조업체부품 #: STGB10H60DF

데이터 시트: STGB10H60DF Datasheet (PDF)

패키지/케이스: D2PAK

상품 유형: Single IGBTs

RoHS 상태:

재고상태: 3,641 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STGB10H60DF 일반적인 설명

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

특징

High speed switching
Tight parameters distribution
Safe paralleling
Low thermal resistance
Short-circuit rated
Ultrafast soft recovery antiparallel diode

명세서

매개변수	값	매개변수	값
feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-supplier-package	D2PAK
feature-standard-package-name1	TO-263	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes

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부품 포인트

The STGB10H60DF chip is a high-voltage, high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for efficient switching applications. It provides low saturation voltage and fast recovery diode characteristics, making it suitable for motor control, power supply, and consumer electronics applications. The chip's compact size and high thermal performance make it ideal for applications that require high power and reliability in a limited space.
Equivalent

Some equivalent products of the STGB10H60DF chip are STGB10NB37LZT4, STGF10NC60KD, SPW47N60CFD, and IRG4BC30FPBF.
Features

STGB10H60DF is a high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a breakdown voltage of 600V. It has a low VCE(sat) voltage, resulting in efficient power switching. The module is equipped with short-circuit withstand time and is suitable for high-frequency operation due to low gate charge.
Pinout

The STGB10H60DF is a high-speed, low loss IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. It features a pin count of 10 and serves as a high power switching device for various industrial applications such as motor drives, welding equipment, and UPS (Uninterruptible Power Supplies).
Manufacturer

The manufacturer of the STGB10H60DF is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company specializing in the design, development, and manufacturing of a wide range of semiconductor products, including integrated circuits, microcontrollers, power transistors, and more. They serve various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications.
Application Field

The STGB10H60DF, or ST IGBT, is typically used in industrial applications such as motor control, drives, and related equipment. It is also suitable for power factor correction, uninterruptible power supplies (UPS), and welding machines.
Package

The STGB10H60DF chip is packaged in a D2PAK form, which stands for Dual-Package, Single Chip. The D2PAK package has a size of approximately 10.4 mm x 17.5 mm x 4.6 mm.