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STF13N65M2
Compact and robust TO-P package suitable for a wide range of electrical engineering projec
브랜드: STMICROELECTRONICS
제조업체부품 #: STF13N65M2
데이터 시트: STF13N65M2 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-220FP
RoHS 상태:
재고상태: 7,986 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $0.730 | $0.730 |
| 10 | $0.608 | $6.080 |
| 30 | $0.547 | $16.410 |
| 100 | $0.486 | $48.600 |
| 500 | $0.450 | $225.000 |
| 1000 | $0.432 | $432.000 |
재고: 7,986 PCS
STF13N65M2 일반적인 설명
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
특징
- Improved thermal resistance for efficient heat dissipation
- Excellent reliability with a mean time to failure (MTBF) exceeding 200,000 hours
- Silicon-protected for long lifespan
- Fully RoHS compliant
애플리케이션
SWITCHING명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | STF13N65M2 | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Package Description | TO-220FP, 3 PIN | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 52 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics | Avalanche Energy Rating (Eas) | 350 mJ |
| Case Connection | ISOLATED | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 650 V | Drain Current-Max (ID) | 10 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.43 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 25 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40 A | Surface Mount | NO |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
배송
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