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STF13N60M2
N-Channel 600 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
브랜드: STMicroelectronics
제조업체부품 #: STF13N60M2
데이터 시트: STF13N60M2 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-220-3
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 100 | $0.504 | $50.400 |
| 500 | $0.468 | $234.000 |
| 1200 | $0.448 | $537.600 |
재고: 9,458 PCS
STF13N60M2 일반적인 설명
The STF13N60M2 Power MOSFETs represent a significant advancement in power electronics, designed to meet the demands of modern converters requiring top-notch efficiency and reliability. With Microchip's state-of-the-art MDmesh II Plus™ low Qg technology, these N-channel Power MOSFETs offer a winning combination of low on-resistance and gate charge. This enables engineers to optimize their designs for maximum performance, making these devices indispensable for high power applications in various industries
특징
- RDS(off)x reduction realized
- Low leakage current ensured
- Improved thermal stability guaranteed
- Optimized for DC/DC converters
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | MDmesh | Series: | STF13N60M2 |
| Packaging: | Tube | Brand: | STMicroelectronics |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 9.5 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 10 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
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부품 포인트
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The STF13N60M2 is a power MOSFET chip developed by STMicroelectronics. It is designed for use in various applications, including power supplies, motor drives, and inverters. This chip offers a low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high current and high voltage applications. It also features a low gate charge, which helps reduce power losses and improves efficiency in these applications.
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Features
STF13N60M2 is a power MOSFET transistor designed for high voltage applications. It offers a low on-resistance, high current capability, and fast switching speed. It has a voltage rating of 600V, a continuous drain current of 12A, and a low gate charge. The device is suitable for use in industrial, automotive, and power supply applications. -
Pinout
The STF13N60M2 is a power MOSFET with a TO-220FP package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate is used to control the MOSFET, while the drain and source serve as the input and output terminals for the current flow respectively. -
Manufacturer
STF13N60M2 is manufactured by STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor company, specializing in the designing, manufacturing, and marketing of a wide range of semiconductor products used in various applications like automotive, industrial, IoT, and more. -
Application Field
The STF13N60M2 is a power MOSFET designed for use in various applications, including switch mode power supplies, lighting, motor control, and renewable energy systems. It can handle high currents and voltages, making it suitable for demanding industrial and consumer electronics applications. -
Package
The STF13N60M2 chip has a TO-220 package type, a transistor form, and its size is small, as is typical for TO-220 packages.
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