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STD2NB80T4

N-Channel MOSFET rated for 800 volts and 1.9 amps

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Stmicroelectronics

제조업체부품 #: STD2NB80T4

데이터 시트: STD2NB80T4 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-252-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,230 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STD2NB80T4 일반적인 설명

STD2NB80T4 is a Power MOSFET transistor from STMicroelectronics. It is a N-channel enhancement mode field-effect transistor designed for high voltage and high-switching speed applications. The STD2NB80T4 has a maximum drain-source voltage of 800V, making it suitable for various power supply and motor control applications. It has a low on-state resistance of 2.8 ohms, which enables efficient power switching and minimal power losses. This MOSFET features a high dv/dt capability, allowing for fast switching speeds and high efficiency in power electronics designs. It also has a low gate charge of 6.3nC, which helps reduce switching losses and improve overall system efficiency. The STD2NB80T4 is housed in a TO-252 package, which provides good thermal performance and easy mounting on PCBs. It operates over a wide temperature range of -55°C to 175°C, making it suitable for harsh industrial environments.

특징

  • Improved high-frequency performance
  • Increased power processing efficiency
  • Faster system response time

애플리케이션

  • Microwave oven controllers
  • RF power amplifiers
  • PFC (power factor correction) circuits

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS N
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
Id - Continuous Drain Current 1.9 A Rds On - Drain-Source Resistance 6.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 55 W
Channel Mode Enhancement Series STD2NB80
Brand STMicroelectronics Configuration Single
Fall Time 17 ns Height 2.4 mm
Length 6.6 mm Product Type MOSFET
Rise Time 10 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-On Delay Time 12 ns
Width 6.2 mm

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부품 포인트

  • The STD2NB80T4 chip is a power transistor module designed for high-speed switching applications. It features a low on-resistance and high switching speed, making it suitable for use in a variety of power electronic circuits. The chip is robust and reliable, making it ideal for use in industrial and automotive applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of STD2NB80T4 chip include STP2NK80Z, STD2NB80T4G, and STD2NB80. These devices are all N-channel Power MOSFETs with similar specifications and characteristics, suitable for various applications requiring high power and efficiency.
  • Features

    - STD2NB80T4 is a N-channel MOSFET transistor - Maximum drain-source voltage of 800V - Continuous drain current of 1.2A - Low on-resistance of 10 ohms - TO-252 package type - Suitable for high voltage applications such as power supplies, motor control, and lighting circuits
  • Pinout

    The STD2NB80T4 is a N-channel MOSFET transistor with a TO-252 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins.
  • Manufacturer

    The STD2NB80T4 is manufactured by STMicroelectronics, a French-Italian multinational semiconductor company. STMicroelectronics specializes in designing and manufacturing a wide range of semiconductor products, including microcontrollers, analog and power management devices, sensors, and more. They serve a variety of industries, such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications.
  • Application Field

    The STD2NB80T4 is a power MOSFET transistor commonly used in various applications such as power supplies, industrial controls, motor drives, and battery management systems. It is ideal for high current switching applications where low gate charge and fast switching speed are required.
  • Package

    The STD2NB80T4 chip is packaged in a TO-252 form with a size of 6.5mm x 6.5mm.

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