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ST STD13N65M2
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD13N65M2 일반적인 설명
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
특징
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
애플리케이션
Switching applications
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 370 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 25 V | Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Configuration: | Single | Channel Mode: | Enhancement |
| Packaging: | Reel | Series: | STD13N65M2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 12 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 7.8 ns | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns | Unit Weight: | 0.139332 oz |
| Tags | STD13N6, STD13N, STD13, STD1, STD | Pin Count | 3 |
| Package Category | Other | Released Date | Jul 20, 2016 |
| Last Modified Date | Mar 7, 2023 4:10 PM UTC |
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