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$5000STD105N10F7AG
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET
브랜드: STMicroelectronics
제조업체부품 #: STD105N10F7AG
데이터 시트: STD105N10F7AG 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-252-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
STD105N10F7AG 일반적인 설명
Engineered with precision and innovation, the STD105N10F7AG Power MOSFET embodies the next generation of semiconductor technology. Its STripFET™ F7 architecture introduces a unique trench gate design that significantly lowers on-state resistance, enabling robust power management with minimal energy loss. By decreasing internal capacitance and gate charge, this MOSFET delivers rapid and efficient switching capabilities, essential for high-performance systems. From industrial automation to renewable energy solutions, the STD105N10F7AG sets a new standard for power MOSFETs, offering exceptional reliability and performance in a compact package
특징
- Fast response time guaranteed
- Low current consumption ensured
- Excellent dynamic performance
- Safe and reliable operation assured
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.8 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V | Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 120 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Tradename: | STripFET |
| Series: | STD105N10F7AG | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | STMicroelectronics | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 15 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 40 ns | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Unit Weight: | 0.011640 oz |
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부품 포인트
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The STD105N10F7AG is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices. It has a low on-resistance, allowing for efficient power management. With a voltage rating of 100V and a current rating of 80A, it is suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and battery management. Its compact size and durability make it a popular choice in various industries.
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Equivalent
There are no direct equivalents of the STD105N10F7AG chip. It is a specific model within the STD105 series of N-channel Power MOSFETs. However, there may be similar alternatives from different manufacturers that provide similar specifications and performance. -
Features
The STD105N10F7AG is a MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 80A, and an RDS(on) resistance of 10mΩ. It has a low gate charge, making it suitable for high-efficiency switching applications while offering improved thermal performance. -
Pinout
The STD105N10F7AG is a power MOSFET with a pin count of three. The pins correspond to the gate, drain, and source functions in the device. -
Manufacturer
The STD105N10F7AG is manufactured by STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor company specializing in the design, manufacturing, and distribution of a wide range of semiconductor products, including microcontrollers, sensors, power management, and analog and mixed-signal devices. -
Application Field
The STD105N10F7AG is a power MOSFET transistor primarily used in applications that require high power and low on-resistance, such as power supplies, motor control, and industrial automation. -
Package
The STD105N10F7AG chip is available in a DPAK (TO-252) package type. It has a standard form and a size of 6.6mm x 9.7mm with a thickness of 2.3mm.
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