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ST STB24N60DM2 48HRS

MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: STMicroelectronics, Inc

제조업체부품 #: STB24N60DM2

데이터 시트: STB24N60DM2 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: D2PAK

RoHS 상태:

재고상태: 3728 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STB24N60DM2 일반적인 설명

These FDmesh II Plus™ low QgPower MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

특징

  • Extremely low gate charge and input capacitance
  • Lower RDS(on)x area vs previous generation
  • Low gate input resistance
  • 100% avalanche tested
  • Zener-protected
  • Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer: STMicroelectronics Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-263-3
Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Id - Continuous Drain Current: 18 A Rds On - Drain-Source Resistance: 200 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V Vgs - Gate-Source Voltage: 25 V
Qg - Gate Charge: 29 nC Pd - Power Dissipation: 150 W
Configuration: Single Tradename: FDmesh
Packaging: Reel Series: STB24N60DM2
Brand: STMicroelectronics Fall Time: 15 ns
Product Type: MOSFET Rise Time: 8.7 ns
Factory Pack Quantity: 1000 Subcategory: MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns Typical Turn-On Delay Time: 15 ns
Unit Weight: 0.139332 oz Tags STB24N60D, STB24N60, STB24N6, STB24, STB2, STB
Pin Count 3 Package Category Other
Released Date Sep 1, 2022

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