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SMMBT3906LT3G

Name: SMMBT3906LT3G
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Rating: 4.8 (10 reviews)

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

브랜드: ON SEMICONDUCTOR

제조업체부품 #: SMMBT3906LT3G

데이터 시트: SMMBT3906LT3G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23

RoHS 상태:

재고상태: 7,240 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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100	$0.052	$5.200
300	$0.045	$13.500
1000	$0.040	$40.000
5000	$0.036	$180.000
10000	$0.034	$340.000

재고: 7,240 PCS

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SMMBT3906LT3G 일반적인 설명

With its 200 mA, 40 V PNP Bipolar Junction Transistor, product SMMBT3906LT3G is engineered to meet the demands of both linear and switching applications. Housed in the SOT-23 package, this transistor is optimized for lower power surface mount applications, providing a reliable and space-saving solution for electronic circuitry

특징

AEC-Q101 Compliant
Pb-Free, Halogen Free/BFR Free
RoHS Compliant

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	SMMBT3906LT3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ON SEMICONDUCTOR
Part Package Code	SOT-23 (TO-236) 3 LEAD	Package Description	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Pin Count	3	Manufacturer Package Code	318-08
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	48 Weeks	Date Of Intro	1999-01-01
Samacsys Manufacturer	onsemi	Collector Current-Max (IC)	0.2 A
Collector-Base Capacitance-Max	4.5 pF	Collector-Emitter Voltage-Max	40 V
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	30
JEDEC-95 Code	TO-236AB	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-65 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Reference Standard	AEC-Q101	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz
Turn-off Time-Max (toff)	300 ns	Turn-on Time-Max (ton)	70 ns
VCEsat-Max	0.4 V	Product Status	Active
Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V	Power - Max	300 mW
Frequency - Transition	250MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automotive	Qualification	AEC-Q101
Mounting Type	Surface Mount	Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)

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