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vishay SIS412DN-T1-GE3
30V N-Channel MOSFET (Drain-to-Source)
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SIS412DN-T1-GE3
데이터 시트: SIS412DN-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: PowerPAK-1212-8
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 5 | $0.142 | $0.710 |
| 50 | $0.123 | $6.150 |
| 150 | $0.115 | $17.250 |
| 500 | $0.105 | $52.500 |
| 3000 | $0.100 | $300.000 |
| 6000 | $0.097 | $582.000 |
재고: 9,458 PCS
SIS412DN-T1-GE3 일반적인 설명
The SIS412DN-T1-GE3 MOSFET is a powerhouse when it comes to power management applications. With a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 30A, this dual N-channel MOSFET is ready to handle high-power tasks with ease. Its low on-resistance of 5.8mΩ at a Vgs of 10V ensures efficiency in power delivery, making it a reliable choice for demanding projects
특징
- Compact package design
- Robust and reliable operation
- Wide temperature range
애플리케이션
SWITCHING명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 10 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK | Series: | SIS |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 10 ns, 12 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 15 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns, 15 ns |
| Part # Aliases: | SIS412DN-GE3 |
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부품 포인트
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The SIS412DN-T1-GE3 chip is an integrated circuit chip designed by Silicon Integrated Systems Corp. It is a versatile and high-performance chip that offers multiple interfaces and features for use in various applications. This chip supports Gigabit Ethernet connectivity and provides advanced security features, making it a suitable choice for networking and communication systems.
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Features
The SIS412DN-T1-GE3 is a 10 Gigabit Ethernet switch with 12 ports. It supports advanced features such as Quality of Service (QoS), Virtual Local Area Network (VLAN) management, and Power over Ethernet (PoE) capabilities. It is designed for high-performance networking in small to medium-sized businesses. -
Pinout
The SIS412DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. The pin functions are as follows: Pin 1 - Gate 1, Pin 2 - Source 1, Pin 3 - Drain 1, Pin 4 - Gate 2, Pin 5 - Source 2, Pin 6 - Drain 2. -
Manufacturer
The manufacturer of the SIS412DN-T1-GE3 is a company called Silicon Integrated Systems Corp. (SiS). SiS is a semiconductor company that specializes in the design and manufacturing of integrated circuits, including chipsets, graphics, and multimedia products. -
Application Field
The SIS412DN-T1-GE3 is a power management switch for Ethernet devices in automotive and industrial applications. It can be used in various systems such as infotainment, body electronics, powertrain, and chassis control, providing reliable and efficient power management solutions. -
Package
The SIS412DN-T1-GE3 chip has a package type of D-PAK, a form of Surface Mount, and a size of 6.6mm x 9.45mm.
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