이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

주문 금액이

$5000

받으세요 $50 할인을 !

vishay SIA921EDJ-T1-GE3

Name: SIA921EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay
Rating: 4.8 (10 reviews)

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 / Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SIA921EDJ-T1-GE3

데이터 시트: SIA921EDJ-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SC-70-6

상품 유형: FET, MOSFET Arrays

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. SIA921EDJ-T1-GE3 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

SIA921EDJ-T1-GE3 일반적인 설명

Featuring a p-channel transistor polarity, the SIA921EDJ-T1-GE3 offers a 20V drain-source voltage (Vds) and a continuous drain current (Id) of 4.5A. Its on-resistance (Rds(On)) is 0.059Ohm, and it is designed for surface mount installation. The Rds(On) test voltage (Vgs) is 4.5V, and the threshold voltage (Vgs) is 1.4V. Importantly, this product does not comply with RoHS regulations

특징

None

애플리케이션

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable Devices |DC/DC Converters S1 S2

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Vishay	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	SC-70-6
Transistor Polarity:	P-Channel	Number of Channels:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	20 V	Id - Continuous Drain Current:	4.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	48 mOhms, 48 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.4 V	Qg - Gate Charge:	23 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	7.8 W	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	TrenchFET, PowerPAK	Series:	SIA
Packaging:	MouseReel	Brand:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Dual	Fall Time:	10 ns, 10 ns
Forward Transconductance - Min:	11 S, 11 S	Height:	0.75 mm
Length:	2.05 mm	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	20 ns, 20 ns	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	2 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	25 ns, 25 ns	Typical Turn-On Delay Time:	20 ns, 20 ns
Width:	2.05 mm	Part # Aliases:	SIA921EDJ-GE3
Unit Weight:	0.000988 oz

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The SIA921EDJ-T1-GE3 is a high-speed, low-power, and compact serializer/deserializer (SerDes) chip developed by Silicon Labs. With data rates of up to 6.25 Gbps, this chip is ideal for applications such as high-speed data transmission in automotive, industrial, and consumer electronics. Its small form factor and low power consumption make it suitable for space-constrained and energy-efficient designs.
Equivalent

Some equivalent products of the SIA921EDJ-T1-GE3 chip are the TLP293-4, IL4135-4, and AQW217EHAX. These are optoelectronic components that perform similar functions and can be used as substitutes for the SIA921EDJ-T1-GE3 chip in certain applications.
Features

SIA921EDJ-T1-GE3 is a low voltage, low on-resistance, dual-channel MOSFET with advanced Planar technology, integrated Schottky diode, and ESD protection. It is designed for power management applications in mobile devices and portable electronics. This MOSFET offers high efficiency, low power consumption, and fast switching speed.
Pinout

SIA921EDJ-T1-GE3 is a dual-channel current sensor with a pin count of 8. It is used to measure the current flowing through two separate channels in electronic circuits. The sensor provides accurate current measurements for motor control, power management, and other applications.
Manufacturer

The manufacturer of SIA921EDJ-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is a global company that specializes in the design and production of electronic components and semiconductors for a wide range of industries, including automotive, telecommunications, and consumer electronics. They are known for their high-quality products and innovative solutions in the electronics industry.
Application Field

SIA921EDJ-T1-GE3 is commonly used in industrial automation, motor control, and power management applications. It is ideal for high-power systems that require reliable and efficient operation. This device can also be used in automotive and consumer electronics applications for power conversion and control.
Package

The SIA921EDJ-T1-GE3 chip is a MOSFET transistor in a DFN package with 8 pins. The form factor is surface mount and the size is 3mm x 3mm, square.