이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

주문 금액이

$5000

받으세요 $50 할인을 !

vishay SIA483DJ-T1-GE3

Name: SIA483DJ-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Tape and Reel format offering of a P-Channel MOSFET with a 30V maximum voltage and 12A current rating

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SIA483DJ-T1-GE3

데이터 시트: SIA483DJ-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SC-70-6

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. SIA483DJ-T1-GE3 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

SIA483DJ-T1-GE3 일반적인 설명

The SIA483DJ-T1-GE3 is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for various electronic applications. With a current rating of 12A and a voltage rating of 30V, this P-Channel Silicon MOSFET offers a low on-resistance of 0.021ohm, ensuring efficient power management. It is HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, making it environmentally friendly and safe for use in different industries. The leadless SC-70 package and POWERPAK-6 configuration provide easy installation and space-saving design, making it ideal for compact electronic devices

특징

Surface mountable design
Low inductance structure
High density package
Precise current control capability

애플리케이션

Smart Phones, Tablet PCs, Mobile Computing: - Battery Switches - Load Switches - Power Management - DC/DC Converters

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-70-6	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	12 A	Rds On - Drain-Source Resistance	16 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.2 V
Qg - Gate Charge	45 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	19 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET, PowerPAK
Series	SIA	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	23 S	Height	0.75 mm
Length	2.05 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	30 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	37 ns
Width	2.05 mm

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

SIA483DJ-T1-GE3 is a high efficiency, low voltage synchronous buck regulator chip designed for power management applications. It features integrated overcurrent protection and a wide input voltage range, making it ideal for a variety of consumer electronics and industrial devices. With a compact form factor and high switching frequency, the SIA483DJ-T1-GE3 offers an efficient solution for voltage regulation in compact designs.
Equivalent

Some equivalent products of the SIA483DJ-T1-GE3 chip include the IRF7832TRPBF, FDD5614P, and DMP3098LDM-7. These chips are MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics.
Features

SIA483DJ-T1-GE3 is a high-efficiency, low-voltage, synchronous buck regulator with integrated high-side and low-side power MOSFETs. It features a wide input voltage range, ultra-low quiescent current, and is suitable for various applications including portable devices, wearable devices, and industrial systems.
Pinout

The SIA483DJ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a 1212 pin count. It is commonly used in power management applications for controlling high-frequency switching circuits.
Manufacturer

SIA483DJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay. Vishay is an American company that produces electronics components and technology solutions for a wide range of industries, including automotive, aerospace, and consumer electronics. They are known for their high-quality products and innovative technology solutions.
Application Field

SIA483DJ-T1-GE3 is commonly used in applications such as power management in smartphones, tablets, laptops, and other portable devices. It can also be utilized in various voltage regulation and power distribution systems in automotive, industrial, and consumer electronics applications.
Package

The SIA483DJ-T1-GE3 chip is a discrete semiconductor component in a surface mount package. It has a SOD-123 form factor with a size of approximately 2.8mm x 1.7mm x 1.35mm.