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vishay SIA456DJ-T1-GE3

Name: SIA456DJ-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SIA456DJ-T1-GE3

데이터 시트: SIA456DJ-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SC-70-6

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIA456DJ-T1-GE3 일반적인 설명

N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

특징

TrenchFET® power MOSFET

Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package

Small footprint area

Low on-resistance

애플리케이션

Industrial
Power Management
Portable Devices

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Vishay	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	SC-70-6
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V	Id - Continuous Drain Current:	2.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.38 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 16 V, + 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	600 mV	Qg - Gate Charge:	5 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	19 W	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	TrenchFET, PowerPAK	Series:	SIA
Packaging:	MouseReel	Brand:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single	Fall Time:	20 ns
Forward Transconductance - Min:	5 S	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	25 ns	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	30 ns	Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Part # Aliases:	SIA456DJ-GE3

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The SIA456DJ-T1-GE3 is a chip that is used in electronic devices for various applications. It is designed to provide efficient and reliable performance, with features such as low power consumption and high-speed data transfer capabilities. The chip is manufactured by a reputable semiconductor company and is known for its quality and reliability in the industry.
Equivalent

There are no specified equivalent products for the SIA456DJ-T1-GE3 chip.
Features

The SIA456DJ-T1-GE3 is a power MOSFET that offers low on-resistance and high efficiency. It has a compact and lightweight design with a small form factor, making it suitable for a variety of applications. It also provides a high-speed switching performance and low gate charge, allowing for faster operation and reduced power losses.
Pinout

The SIA456DJ-T1-GE3 is a 76-pin MOSFET with a function as a power amplifier for use in cellular handsets and other wireless applications.
Manufacturer

The manufacturer of the SIA456DJ-T1-GE3 is Silicon Integrated Systems Corporation (SiS). It is a semiconductor company that specializes in providing integrated circuits and system solutions for various applications such as computers, mobile devices, and consumer electronics. SiS was founded in 1987 and is based in Taiwan.
Application Field

The SIA456DJ-T1-GE3 is a power MOSFET that is commonly used in various applications, including automotive electronics, industrial equipment, and power supplies. It offers high power density and efficiency, making it suitable for applications that require reliable and efficient power switching.
Package

The SIA456DJ-T1-GE3 chip comes in a package type called DFN (Dual Flat No-Lead) or PowerPAK® SC-75. It has a form factor of 3.3mm x 3.3mm (0.13" x 0.13") and a size of about 10.89 square millimeters.