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$5000vishay SIA445EDJ-T1-GE3
MOSFET -20V [email protected] 12A P-Ch G-III
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SIA445EDJ-T1-GE3
데이터 시트: SIA445EDJ-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SC-70-6
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SIA445EDJ-T1-GE3 일반적인 설명
Offering superior performance and reliability, the SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH transistor is ideal for demanding applications where high current and low resistance are required. With a maximum operating temperature of 150°C and a minimum of -55°C, this transistor can withstand extreme temperature conditions without compromising its functionality. The PowerPAK SC70 case style offers efficient heat dissipation, while the 6-pin configuration allows for easy integration into circuit designs. The MSL 1 - Unlimited rating ensures that this transistor is suitable for a wide range of storage and assembly environments
특징
- High speed switching and low loss
- Multibit and high frequency operation
- Robust design for high reliability
- Economical solution with high performance
애플리케이션
Smart Phones, Tablet PCs, Mobile Computing - Battery Switch - Charger Switch - Load Switch명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-6 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V | Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 19 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK | Series: | SIA |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 29 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 25 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns | Part # Aliases: | SIA445EDJ-GE3 |
| Unit Weight: | 0.001446 oz |
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부품 포인트
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The SIA445EDJ-T1-GE3 is a power MOSFET chip designed for high efficiency, low on-resistance, and fast switching speeds in a compact package. It is suitable for use in a wide range of power management applications, such as voltage regulators, DC-DC converters, and motor control circuits. With its advanced design and performance capabilities, this chip is ideal for maximizing power efficiency and minimizing heat dissipation in electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of SIA445EDJ-T1-GE3 chip are SIA445EDJ-T1-GE4 and SIA445EDJ-T2-GE3. These chips have similar functionalities and specifications, making them suitable replacements for each other in various electronic applications. -
Features
SIA445EDJ-T1-GE3 is a MOSFET with a maximum drain-source voltage of 30V, a continuous drain current of 10A, and a low on-resistance of 8mΩ. It also features a small footprint and high power density, making it suitable for high-performance applications in power management and motor control. -
Pinout
SIA445EDJ-T1-GE3 has 6 pins and is a 12 V, 5 A low-voltage load switch IC. It is designed to protect power supply systems by providing a controlled turn-on and turn-off of devices to prevent damage and improve efficiency. -
Manufacturer
SIA445EDJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., an American manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay is a global company that provides components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. -
Application Field
Some application areas for SIA445EDJ-T1-GE3 may include data centers, telecommunications equipment, industrial systems, and consumer electronics. This high-performance power MOSFET is suitable for a variety of power management applications where high reliability and efficiency are required. -
Package
The SIA445EDJ-T1-GE3 chip comes in a surface-mount package type, it is in a form of a dual MOSFET, and measures 2mm x 2mm in size.
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