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$5000vishay SI7850DP-T1-E3
Compact and rugged package for demanding applicatio
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI7850DP-T1-E3
데이터 시트: SI7850DP-T1-E3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: PowerPAK-SO-8
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI7850DP-T1-E3 일반적인 설명
This MOSFET features a single-element, N-channel design, and is constructed using silicon metal-oxide semiconductor technology. The N-channel architecture allows for easy control of the flow of current, making it well-suited for use in circuits where precise power management is essential. Additionally, the metal-oxide semiconductor construction ensures high reliability and robust performance in demanding operating conditions
특징
- Fast switching capability
- Pulse width modulation support
- Low thermal resistance package
애플리케이션
Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications |Secondary Synchronous Rectifier명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 22 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 18 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min | 26 S | Height | 1.04 mm |
| Length | 6.15 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Width | 5.15 mm | Part # Aliases | SI7850DP-E3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
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부품 포인트
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The SI7850DP-T1-E3 is a power MOSFET chip designed for high-speed switching applications. It is manufactured by Vishay Siliconix and features low on-resistance and a small form factor. This chip is commonly used in various power management systems, such as DC-DC converters and motor control circuits, to improve efficiency and performance.
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Features
The SI7850DP-T1-E3 is a high-speed, low-loss MOSFET with a compact design. It offers low on-state resistance, fast switching capabilities, and a low profile package, making it suitable for power management applications such as DC-DC converters and motor control. -
Pinout
The SI7850DP-T1-E3 has a pin count of 8. It is a dual P-channel MOSFET with a 30V drain-source voltage and a -11.7A continuous drain current. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7850DP-T1-E3 is Vishay Intertechnology, a global semiconductor and electronic components company. -
Application Field
The SI7850DP-T1-E3 is a power MOSFET that is commonly used in various applications such as power supplies, voltage regulators, motor control circuits, and lighting applications. It is designed to handle high currents and voltages, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications. -
Package
The SI7850DP-T1-E3 chip has a package type of PowerPAK SO-8, a form of Surface Mount, and a size of 5mm x 6mm x 1.6mm.
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