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SI7149DP-T1-GE3
VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V
브랜드: Vishay Siliconix
제조업체부품 #: SI7149DP-T1-GE3
데이터 시트: SI7149DP-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: PowerPAK-SO-8
RoHS 상태:
재고상태: 8,546 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $0.704 | $0.704 |
| 10 | $0.620 | $6.200 |
| 30 | $0.579 | $17.370 |
| 100 | $0.538 | $53.800 |
| 500 | $0.514 | $257.000 |
| 1000 | $0.501 | $501.000 |
재고: 8,546 PCS
SI7149DP-T1-GE3 일반적인 설명
MOSFET, P CH, 30V, 50A, PPAK SO8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-50A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:69W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-50A; Power Dissipation Pd:69W; Voltage Vgs Max:25V
특징
Halogen-free |TrenchFET® Power MOSFET |100% R Tested |100% UIS Tested애플리케이션
Battery and Load Switching - Notebook Computers - Notebook Battery Packs명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 15A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 147 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4590 pF @ 15 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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부품 포인트
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The SI7149DP-T1-GE3 is a Dual N/P-Channel MOSFET used for high-efficiency power management in electronic devices. It has a low on-resistance and high current capacity, making it ideal for applications requiring efficient power delivery. Additionally, it is designed to withstand high temperatures and provide reliable performance in a compact package.
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Equivalent
The equivalent products of SI7149DP-T1-GE3 chip are TPS78001DDCR and TPS78001DDCT chips. They are both Low Dropout Voltage Regulators with a fixed output voltage of 3.3V and comparable features and specifications. -
Features
SI7149DP-T1-GE3 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a dual N-channel configuration, a maximum drain-source voltage of 30V, a continuous drain current of 2.9A, a low on-resistance of 0.047 ohms, and a fast switching speed. It is ideal for synchronous rectification and power management applications. -
Pinout
SI7149DP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include Gate 1, Source 1, Drain 1, Source 2, Drain 2, Gate 2, and two NC (no connection) pins. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the SI7149DP-T1-GE3. It is a German semiconductor manufacturer that specializes in the production of various integrated circuits, power semiconductors, and sensors for automotive, industrial, and telecommunication applications. Established in 1999, Infineon Technologies is known for its innovation and high-quality products in the semiconductor industry. -
Application Field
SI7149DP-T1-GE3 is a dual N-channel 30V MOSFET with integrated Schottky diodes. It is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits. It is also suitable for high efficiency synchronous rectification and ORing functions in automotive, industrial, and consumer electronics. -
Package
The SI7149DP-T1-GE3 chip comes in a dual P-channel MOSFET package, with a form factor of DFN (Dual Flat No-Lead). Its size is 3mm x 3mm x 0.65mm.
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