이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기
주문 금액이
$5000vishay SI7113DN-T1-E3
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI7113DN-T1-E3
데이터 시트: SI7113DN-T1-E3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: PowerPAK-1212-8
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI7113DN-T1-E3 일반적인 설명
With a low Rds(On) Test Voltage of 20V and a Gate Source Threshold Voltage Max of 3V, the SI7113DN-T1-E3 offers efficient performance and reliable operation in switching and amplification circuits. However, it is important to note that this product is not RoHS compliant, so extra caution must be taken when incorporating it into environmentally sensitive projects
특징
- 4.5V to 24V Input Voltage Range
- 6A Output Current
- 45mΩInternal High Side N-MOSFET
- Current Mode Control
- 600kHz Switching Frequency
- Adjustable Output from 0.8V to 15V
- Up to 95% Efficiency
- Internal Compensation
- Stable with Ceramic Capacitors
- Synchronous External Clock : 300kHz to 1.5MHz
- Cycle-by-Cycle Current Limit
- Input Under Voltage Lockout
- Output Under Voltage Protection
- Power Good Indicator
- Thermal Shutdown Protection
- RoHS Compliant and Halogen Free
애플리케이션
Active Clamp in Intermediate DC/DC Power Supplies명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 13.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 134 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 35 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 50 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI7 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S | Height: | 1.04 mm |
| Length: | 3.3 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 13 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Width: | 3.3 mm | Part # Aliases: | SI7113DN-E3 |
| Unit Weight: | 0.032487 oz |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
 |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
![제품]( "제품")
단계1 :제품
-
![진공 포장]( "진공 포장")
단계2 :진공 포장
-
![정전기 방지 가방]( "정전기 방지 가방")
단계3 :정전기 방지 가방
-
![개별 포장]( "개별 포장")
단계4 :개별 포장
-
![포장 상자]( "포장 상자")
단계5 :포장 상자
-
![바코드 배송 태그]( "바코드 배송 태그")
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
The SI7113DN-T1-E3 is a synchronous buck converter IC designed for use in various power management applications. It features high efficiency and a wide input voltage range, making it suitable for a range of devices including smartphones, tablets, and portable electronics. The chip also offers overcurrent protection and thermal shutdown functionality for added reliability.
-
Equivalent
The equivalent products of SI7113DN-T1-E3 chip are SI7113DN-T1-GE3, SI7113DN-T1-E3, SI7113DN-T1-E3-ND, and SI7113DN-T1-GE3-ND. -
Features
SI7113DN-T1-E3 is a 60V N-channel TrenchFET power MOSFET with low RDS(on) of 11.1mΩ at VGS of 10V. It has a small footprint DFN package and is RoHS compliant. Other features include a high current handling capability, low power consumption, and high efficiency, making it suitable for a wide range of applications. -
Pinout
The SI7113DN-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET IC with 8 pins. It is used for power management in various applications, including DC-DC conversion, load switching, and motor control. It features a low on-resistance and can handle high current levels efficiently. -
Manufacturer
The manufacturer of SI7113DN-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that designs, manufactures, and supplies power management components and analog switches for a variety of industries including automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
SI7113DN-T1-E3 is commonly used in power management applications such as load switch and voltage regulator modules. It is also suitable for battery charger and power distribution designs in smartphones, tablets, and other portable electronic devices. Additionally, it can be utilized in industrial automation and automotive systems for voltage monitoring and power control purposes. -
Package
The SI7113DN-T1-E3 chip comes in a DFN-8 package type, surface mount form, with dimensions of 2mm x 2mm x 0.85mm.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
![제품]( "제품")
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
![quantity]( "quantity")
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
![shipping]( "shipping")
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
![보장하다]( "보장하다")
모든 제품에 대해 365일 품질 보증
