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$5000vishay SI6913DQ-T1-GE3
Dual P-Channel MOSFET Array
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI6913DQ-T1-GE3
데이터 시트: SI6913DQ-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TSSOP-8
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
SI6913DQ-T1-GE3 일반적인 설명
Designed for durability and performance, the SI6913DQ-T1-GE3 is a top choice for engineers and designers looking for a reliable and efficient dual P-Channel MOSFET solution. Whether you are working on consumer electronics, automotive systems, or industrial equipment, this MOSFET array is sure to meet your requirements and deliver exceptional results. Upgrade your circuits with the SI6913DQ-T1-GE3 and experience the power of cutting-edge technology in a compact and versatile package
특징
애플리케이션
Load Switch |Battery Switch명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSSOP-8 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V | Id - Continuous Drain Current: | 5.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV | Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.14 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI6 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Dual | Fall Time: | 80 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 80 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Part # Aliases: | SI6913DQ-GE3 |
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