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$5000vishay SI6423DQ-T1-GE3
SI6423DQ-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET designed for 12-volt applications
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI6423DQ-T1-GE3
데이터 시트: SI6423DQ-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TSSOP-8
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI6423DQ-T1-GE3 일반적인 설명
This P Channel MOSFET is suitable for applications requiring high efficiency and low power consumption. Its compact TSSOP package and low on resistance make it ideal for space-constrained designs. The wide operating temperature range also allows for reliable performance in harsh environments
특징
애플리케이션
The VISHAY SI6423DQ-T1-GE3 is suitable for a wide range of applications, including power management, motor control, and load switching. It is also suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics.
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSSOP-8 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V | Id - Continuous Drain Current: | 9.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV | Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI6 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 200 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 45 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 75 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 270 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Part # Aliases: | SI6423DQ-GE3 |
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부품 포인트
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The SI6423DQ-T1-GE3 is a dual low-side power switch designed for use in USB charger and audio applications. It features a low on-resistance of 55mOhm and a high peak current capability of 2A per channel. This chip is suitable for portable devices where space and power efficiency are crucial.
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Equivalent
The equivalent products of SI6423DQ-T1-GE3 chip are SI6423ADQ-T1-GE3, SI6423BDQ-T1-GE3, and SI6423CDQ-T1-GE3. These chips are pin-to-pin compatible with the SI6423DQ-T1-GE3 and offer similar functionality for voltage regulators and load switches. -
Features
SI6423DQ-T1-GE3 is a compact and high performance dual MOSFET and MOSFET plus Schottky diode power module. It features a low RDS(ON) for high efficiency, low diode forward voltage drop for reduced power loss, and a small form factor for space-constrained applications. It also offers a high-current capability and excellent thermal performance. -
Pinout
The SI6423DQ-T1-GE3 is a dual-channel, bidirectional voltage-level translation IC with a 8-pin package. It can translate voltage levels between two different voltage domains, making it suitable for applications where multiple voltage levels need to be interfaced. -
Manufacturer
SI6423DQ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a leading manufacturer of power MOSFETs, power ICs, and analog switches for a wide range of applications including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. The company is known for its high-quality products and innovative solutions in the semiconductor industry. -
Application Field
SI6423DQ-T1-GE3 is commonly used in applications such as LED lighting, portable devices, and industrial automation. It is specifically designed for driving low-side N-channel MOSFETs in applications requiring high efficiency and low power consumption. Its compact size and high switching frequency make it suitable for various power management applications. -
Package
The SI6423DQ-T1-GE3 chip comes in a Dual-Quad Flat No-Lead (DQFN) package type, with a form factor of Surface Mount and a size of 7mm x 7mm.
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