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vishay SI4435DDY-T1-E3

Name: SI4435DDY-T1-E3
Brand: Vishay
Rating: 4.8 (10 reviews)

The SI4435DDY-T1-E3 from VISHAY is a P-channel Power MOSFET tailored for applications requiring a maximum voltage of 30V and a current of 11

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI4435DDY-T1-E3

데이터 시트: SI4435DDY-T1-E3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOIC N

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI4435DDY-T1-E3 일반적인 설명

Small Signal Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

특징

TrenchFET® power MOSFET

애플리케이션

Industrial
Power Management

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	11.4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	24 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	32 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI4	Brand	Vishay Semiconductors
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Part # Aliases	SI4435DDY-E3
Unit Weight	0.006596 oz

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부품 포인트

The SI4435DDY-T1-E3 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high-speed switching applications. It is a P-channel device with a drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 8.9A. This chip is commonly used in power management and load switching circuits.
Equivalent

Possible equivalent products for the SI4435DDY-T1-E3 chip include SI4435DY-T1-E3, SI4435DDY-T1, and SI4435DY-T1. These chips are similar in functionality and can be used as alternatives in applications requiring a similar component.
Features

SI4435DDY-T1-E3 is a P-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of 30V, continuous drain current of 12A, and low on-resistance of 10.1mΩ. It has a small form factor with a DFN2510 package and is suitable for applications requiring high efficiency and compact design.
Pinout

SI4435DDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with 8 pins. Pin 1 is the gate of the first MOSFET, pin 2 is the source of the first MOSFET, pin 3 is the drain of the first MOSFET, and so on for the second MOSFET. The device is used for power management applications.
Manufacturer

SI4435DDY-T1-E3 is manufactured by Vishay Siliconix. It is a multinational company specializing in the manufacturing of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Siliconix is known for producing a wide range of high-quality products including MOSFETs, power ICs, and integrated solutions for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

SI4435DDY-T1-E3 is commonly used in applications such as power management in portable devices, load switching, battery chargers, motor control, and DC-DC converters. It is also suitable for use in automotive electronics, industrial applications, and consumer electronics where high efficiency and small form factor are required.
Package

The SI4435DDY-T1-E3 chip is a MOSFET transistor with a dual N and P channel, and comes in a SO-8 surface mount package. The size of the package is 5mm x 6.2mm x 1.6mm.