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vishay SI2369DS-T1-GE3

Name: SI2369DS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET: SOT-23 variant designed for applications requiring a maximum drain-source voltage of -30V and a maximum gate-source voltage of 20V

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI2369DS-T1-GE3

데이터 시트: SI2369DS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2369DS-T1-GE3 일반적인 설명

The SI2369DS-T1-GE3 is a MOSFET with P channel transistor polarity, designed for use in applications requiring high current and low voltage operation. With a continuous drain current of -7.6A and a drain source voltage of -30V, this MOSFET offers high performance and reliability. Its low on resistance of 0.024ohm ensures efficient power management, while the threshold voltage of -10V makes it suitable for a wide range of voltage levels. The SOT-23-3 package provides a compact and convenient solution for space-constrained applications, making the SI2369DS-T1-GE3 an ideal choice for power management in portable electronics, battery-powered devices, and other compact systems

특징

Ruggedized against ESD
Low output capacitance
Fast fall time

애플리케이션

For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter G

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	7.6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	29 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	11.4 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	6 ns
Height	1.45 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	4 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	38 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	SI2369DS-T1-BE3

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부품 포인트

SI2369DS-T1-GE3 is a chip manufactured by Vishay Siliconix. It is a dual N-channel MOSFET designed for use in power management applications. The chip features a low on-resistance and low gate charge, making it highly efficient. It is compatible with both digital and analog applications and is commonly used in DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits.
Features

The SI2369DS-T1-GE3 is a small signal N-channel MOSFET transistor. It has a drain-source voltage rating of 20V and a continuous drain current rating of 3.6A. The transistor is designed for general-purpose switching applications and offers low RDS(on) resistance and fast switching speed.
Pinout

The SI2369DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor with a package pin count of 6. The pin functions include the gate (G) pin, which controls the flow of current through the transistor, the drain (D) pin, which collects current from the transistor, and the source (S) pin, which serves as the reference point for the current flow.
Manufacturer

The SI2369DS-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., which is a global manufacturer of a wide range of electronic components and semiconductors.
Application Field

The SI2369DS-T1-GE3 is designed for general-purpose switching applications with low on-resistance and fast switching characteristics. It can be used in various applications such as power management, load switches, battery protection, and portable devices.
Package

The SI2369DS-T1-GE3 chip has a surface mount package type called SOT-23-3. It has three pins and a small outline package (SOP) form. The package size is approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm (L x W x H).