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SI2337DS-T1-E3

Name: SI2337DS-T1-E3
Rating: 4.5 (10 reviews)

P-channel MOSFET

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI2337DS-T1-E3

데이터 시트: SI2337DS-T1-E3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 7,712 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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500	$0.323	$161.500
1000	$0.315	$315.000

재고: 7,712 PCS

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SI2337DS-T1-E3 일반적인 설명

P Channel Mosfet, -80V, 2.2A To-236, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:2.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:6V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: No |Vishay SI2337DS-T1-E3.

특징

TrenchFET® power MOSFET

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V
Id - Continuous Drain Current	2.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	270 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	17 nC	Minimum Operating Temperature	- 50 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	12 ns
Forward Transconductance - Min	4.3 S	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	15 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-E3
Unit Weight	0.000282 oz

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