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$5000SI2325DS-T1-E3
MOSFET with Drain-Source Voltage of 150-V
브랜드: Vishay Siliconix
제조업체부품 #: SI2325DS-T1-E3
데이터 시트: SI2325DS-T1-E3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI2325DS-T1-E3 일반적인 설명
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
특징
애플리케이션
- Industrial
- Power Management
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 530mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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부품 포인트
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The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET chip designed for use in power management and switching applications. It features a low on-resistance and a compact footprint, making it ideal for space-constrained designs that require efficient power control. This chip is commonly used in portable electronics, battery charging circuits, and motor control systems.
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Equivalent
The equivalent products of SI2325DS-T1-E3 chip are SI2301DS-T1-E3, SI2302DS-T1-E3, and SI2303DS-T1-E3. These are all N-channel MOSFET chips with similar specifications and characteristics to the SI2325DS-T1-E3 chip. -
Features
The SI2325DS-T1-E3 is a N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 20V, continuous drain current of 2.1A, and low on-resistance. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for portable electronic devices and power management applications. -
Pinout
The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 is the gate of the first MOSFET, pin 2 is the source of the first MOSFET, pin 3 is the drain of the first MOSFET, pin 4 is the gate of the second MOSFET, pin 5 is the source of the second MOSFET, and pin 6 is the drain of the second MOSFET. -
Manufacturer
Vishay Intertechnology is the manufacturer of the SI2325DS-T1-E3. It is a global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components for a wide range of markets, including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. Vishay is known for their high-quality products and innovative solutions in the electronics industry. -
Application Field
The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET commonly used in power management applications such as voltage regulation, DC-DC converters, and motor control circuits. It is also used in battery management systems, LED lighting, and switching power supplies due to its high efficiency and low on-resistance characteristics. -
Package
The SI2325DS-T1-E3 chip is a SOT-23 package type, surface mount form, and has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
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