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vishay SI2318DS-T1-E3

Name: SI2318DS-T1-E3
Brand: Vishay
Rating: 4.8 (10 reviews)

SI2318DS-T1-E3 MOSFET can handle up to 250uA

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI2318DS-T1-E3

데이터 시트: SI2318DS-T1-E3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2318DS-T1-E3 일반적인 설명

N-Channel 40 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

특징

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
TrenchFET® Power MOSFET

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	3.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	45 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	15 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	15 ns
Forward Transconductance - Min	11 S	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	12 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-T1
Unit Weight	0.000282 oz

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

SI2318DS-T1-E3 is a power MOSFET chip developed by Vishay, a semiconductor manufacturer. It is designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters. With its low ON-resistance and compact SOT-23 package, it offers efficient power management and improved performance in electronic devices.
Equivalent

Some equivalent products of the SI2318DS-T1-E3 chip include AO3401, AO3402, BS270, BS270C, and SSF2305.
Features

SI2318DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET with a drain-source voltage rating of -30V and a maximum continuous drain current of -6.6A. It has a low on-state resistance of 33mΩ and a gate threshold voltage range of -1V to -2.5V. The device is suitable for applications requiring efficient power management and voltage level shifting.
Pinout

The SI2318DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. It is used as a switch in electronic circuits to control the flow of current. The function of the MOSFET is to amplify and switch electronic signals and power. It is commonly used in power management and voltage regulation applications.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2318DS-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a company that specializes in the design, manufacture, and marketing of a wide range of discrete and integrated semiconductor products. They offer solutions for applications in various industries such as automotive, consumer electronics, telecommunications, and more.
Application Field

The SI2318DS-T1-E3 is a high-efficiency power MOSFET used in various applications such as portable devices, battery chargers, power management systems, and LED lighting. It offers low gate charge, low on-resistance, and compact size, making it well-suited for space-constrained applications requiring reliable power performance.
Package

The SI2318DS-T1-E3 chip has a package type of SOT-23. The form is surface mount and the size is very small, measuring 3.00mm x 1.40mm x 1.10mm.