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vishay SI2312CDS-T1-GE3
Single N-Channel 20 V 31.8 mO 8.8 nC Surface Mount Mosfet - SOT-23
브랜드: VISHAY
제조업체부품 #: SI2312CDS-T1-GE3
데이터 시트: SI2312CDS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-23
RoHS 상태:
재고상태: 6,000 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
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| 5 | $0.184 | $0.920 |
| 50 | $0.163 | $8.150 |
| 150 | $0.153 | $22.950 |
| 500 | $0.142 | $71.000 |
| 3000 | $0.117 | $351.000 |
| 6000 | $0.113 | $678.000 |
재고: 6,000 PCS
SI2312CDS-T1-GE3 일반적인 설명
Operating within a wide temperature range of -55°C to +150°C, the SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET offers reliability in harsh environmental conditions. Its compact SOT-23 package with 3 pins makes it easy to integrate into circuit designs. With a maximum gate-source voltage of 8V, this N-channel MOSFET ensures stable and reliable operation in various applications
특징
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 31.8 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 8.8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 17 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3 |
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부품 포인트
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The SI2312CDS-T1-GE3 chip is a component used in electronic devices for switching applications. It is a P-Channel MOSFET transistor designed for low voltage applications. This chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management tasks. It is commonly used in various consumer electronics, such as smartphones, tablets, and portable devices, to control the flow of electrical currents.
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Equivalent
The equivalent products of SI2312CDS-T1-GE3 chip include SI2312CDS-T1-GE4, SI2312CDS-T1-GE3R, and SI2312CDS-T1-GE3R2. -
Features
The SI2312CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor. It has a low on-resistance, high power and current handling capability, and is suitable for use in various applications such as power management, battery protection, and DC-DC converters. -
Pinout
SI2312CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET. It has a pin count of 6. The pin configuration is as follows: Pin 1, Gate 1; Pin 2, Source 1; Pin 3, Drain 1; Pin 4, Source 2; Pin 5, Drain 2; Pin 6, Gate 2. The dual MOSFET is commonly used for power control applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SI2312CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a company that specializes in developing and manufacturing a wide range of semiconductor devices and electronic components. -
Application Field
The SI2312CDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor commonly used in various applications including power management, motor control, switch-mode power supplies, and electronic circuits requiring low voltage and high power efficiency. It is designed for use in a wide range of industries such as automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial automation. -
Package
The SI2312CDS-T1-GE3 chip is packaged in SOT-23 form factor. Its package size is compact and measures approximately 3mm x 1.4mm x 1.1mm.
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