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vishay SI2303CDS-T1-GE3

Name: SI2303CDS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI2303CDS-T1-GE3

데이터 시트: SI2303CDS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2303CDS-T1-GE3 일반적인 설명

The SI2303CDS-T1-GE3 is a high-quality P-channel FET designed for low voltage applications, boasting a maximum drain-source voltage of -30V and a continuous drain current of -3.2A. With a low on-resistance of 104mOhms at a gate-source voltage of -4.5V, this transistor provides efficient power management and reduces power loss. It can withstand a wide range of operating conditions with a total power dissipation of 2.2W and a junction temperature range of -55°C to 150°C. The compact SOT-23 package and small footprint of the SI2303CDS-T1-GE3 make it easy to integrate into various circuit designs, perfect for applications where space is limited

특징

This transistor is ideal for load switching in small circuits
The SI2303CDS-T1-GE3 has a low input capacitance of 2pF
It can be used for DC/DC converters and other power conversion applications

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Vishay	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	SOT-23-3
Transistor Polarity:	P-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V	Id - Continuous Drain Current:	2.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	190 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V	Qg - Gate Charge:	2 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	2.3 W	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	TrenchFET	Series:	SI2
Packaging:	MouseReel	Brand:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single	Fall Time:	8 ns
Height:	1.45 mm	Length:	2.9 mm
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	11 ns
Factory Pack Quantity:	3000	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time:	11 ns
Typical Turn-On Delay Time:	4 ns	Width:	1.6 mm
Part # Aliases:	SI2303CDS-T1-BE3 SI2303BDS-T1-E3-S

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단계2 :진공 포장
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부품 포인트

The SI2303CDS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor designed for high efficiency power management applications. It features a low on-resistance and is suitable for use in battery management systems, load switches, and other power control circuits. This chip offers high performance in a compact package, making it ideal for space-constrained designs.
Equivalent

The equivalent products of the SI2303CDS-T1-GE3 chip are SI2303CDS-T1-E3, SI2303CDS-T1-RE3, and SI2303CDS-T1-WE3. These are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and functionality.
Features

1. Enhancement mode N-channel MOSFET 2. Small footprint SOT-23 package 3. Low threshold voltage of 1.8V 4. Low on-resistance of 40mΩ 5. High current rating of 2.6A 6. Low gate charge for fast switching 7. RoHS compliant and halogen-free 8. Suitable for various low voltage applications
Pinout

The SI2303CDS-T1-GE3 is a 3-pin N-channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It is designed for switching applications in electronic devices. The pin count includes Gate (G), Drain (D), and Source (S) pins. The transistor helps control the flow of current between the Drain and Source pins based on the voltage applied to the Gate pin.
Manufacturer

The manufacturer of SI2303CDS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is an American manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology specializes in producing resistors, capacitors, inductors, diodes, transistors, and modules for a wide range of applications in industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.
Application Field

SI2303CDS-T1-GE3 is a small signal N-channel MOSFET with a maximum current rating of 2.7A and a low on-resistance of 0.08 ohms. It is commonly used in various low-power applications such as battery management, relay drivers, power switches, and signal amplification in consumer electronics, automotive systems, and industrial controls.
Package

The SI2303CDS-T1-GE3 chip comes in a surface-mount package with a form of dual N-channel MOSFET in a SOT-23-3 size (2.9mm x 1.3mm).