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SI2301DS-T1

Name: SI2301DS-T1
Brand: VISHAY SILICONIX
Rating: 4.8 (10 reviews)

MOSFET capable of handling 20 Volts, with a current rating of 2.3 Amps and a power dissipation of 1.25 Watts

브랜드: VISHAY SILICONIX

제조업체부품 #: SI2301DS-T1

데이터 시트: SI2301DS-T1 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 8,476 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2301DS-T1 일반적인 설명

The SI2301DS-T1 is a versatile P-channel MOSFET that excels in low voltage applications. With its impressive -20 volt drain-source voltage rating and continuous -2.6 ampere drain current, this MOSFET is a reliable choice for efficient power management. Its low on-resistance of 0.09 ohms ensures minimal power loss, making it a cost-effective solution for a wide range of electronic designs

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Rohs Code	No	Part Life Cycle Code	Obsolete
Ihs Manufacturer	VISHAY SILICONIX	Part Package Code	SOT-23
Package Description	TO-236, 3 PIN	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Samacsys Manufacturer	Vishay	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	20 V	Drain Current-Max (ID)	2.3 A
Drain-source On Resistance-Max	0.13 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-236	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e0	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Element Material	SILICON

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부품 포인트

The SI2301DS-T1 is a power management chip commonly used in electronic devices to regulate power consumption and voltage levels. It is designed to improve efficiency and performance while minimizing heat generation. The chip is small in size and can be integrated into various electronic circuits to support stable power supply.
Equivalent

Some equivalent products to the SI2301DS-T1 chip include SI2301BDS-T1-GE3, AO3401A, and SI2301B-DS-T1-E3. These chips are all P-channel MOSFET transistors with similar specifications and characteristics.
Features

- N-channel MOSFET - Drain-Source Voltage: 20V - Continuous Drain Current: 2.4A - Low on-resistance - Small form factor (SOT-23 package) - Low threshold voltage - Suitable for low-power applications - RoHS compliant
Pinout

The SI2301DS-T1 is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a SOT-23 package. It has a pin count of 3, with the pin functions as follows: Pin 1 (Source 1), Pin 2 (Gate 1), Pin 3 (Drain 1) for one FET and Pin 4 (Source 2), Pin 5 (Gate 2), Pin 6 (Drain 2) for the other FET.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2301DS-T1 is Vishay Siliconix. It is a global company that produces a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Siliconix specializes in designing and manufacturing power MOSFETs, analog switches, and integrated circuits for various industries, including automotive, telecommunications, computing, and consumer electronics.
Application Field

The SI2301DS-T1 is a small-signal MOSFET transistor used primarily for voltage regulation, signal amplification, and switching applications in low-voltage circuits, such as portable electronic devices, power management systems, and sensor interfaces. Its compact size makes it suitable for space-constrained designs where efficiency and performance are essential.
Package

The SI2301DS-T1 chip is offered in a SOT-23 package type. It is a N-channel MOSFET transistor that comes in a surface-mount form. The chip has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.