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$5000vishay SI2300DS-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
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브랜드: VISHAY
제조업체부품 #: SI2300DS-T1-GE3
데이터 시트: SI2300DS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT23-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI2300DS-T1-GE3 일반적인 설명
The SI2300DS-T1-GE3 is not only powerful, but also environmentally friendly. This RoHS-compliant transistor meets stringent environmental and safety standards, giving you peace of mind when integrating it into your designs. Its wide operating temperature range of -55°C to 150°C makes it versatile for use in various environmental conditions, further enhancing its appeal for a range of applications. Whether you need to protect batteries or manage power efficiently, the SI2300DS-T1-GE3 has you covered with its compact size, high performance, and reliability
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특징
- This product is designed with a high level of integration and advanced technology.
- It features a very good performance with low power consumption and high efficiency.
- The device also has a good thermal stability and can withstand high temperatures.
애플리케이션
SWITCHING명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 3.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 68 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
Qg - Gate Charge | 3 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 11 ns |
Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 15 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 1.6 mm |
Part # Aliases | SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-GE3 |
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부품 포인트
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The SI2300DS-T1-GE3 is a power MOSFET chip designed by Vishay Intertechnology for use in a variety of electronic devices. This chip offers low on-resistance and high current capacity, making it ideal for efficient power management and switching applications.
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Equivalent
The equivalent products of SI2300DS-T1-GE3 chip are SI2302DS-T1-GE3 and SI2312DS-T1-GE3. These chips are all N-channel enhancement mode MOSFETs with similar specifications, such as VDS and IDS ratings, and are often used interchangeably in electronic circuits. -
Features
1. High Voltage N-Channel MOSFET 2. Low on-resistance (RDS(on)) 3. Small footprint DFN package 4. 20 V drain-source voltage 5. 2.5 A continuous drain current 6. Low gate charge 7. High-speed switching capabilities -
Pinout
The SI2300DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a SOT-23 package. It has 3 pins: Source, Gate, and Drain. The source pin is the common terminal providing the reference potential, while the gate pin controls the conductivity between the source and drain pins. The drain pin is the output terminal for the device. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2300DS-T1-GE3 is Vishay. Vishay is an American company that specializes in manufacturing a wide range of electronic components, including discrete semiconductors and passive components. They are known for their high-quality products and innovative technology solutions for various industries, such as automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
The SI2300DS-T1-GE3 is typically used in power management applications for portable electronics, battery-powered devices, and consumer electronics. It is also commonly used in space-constrained designs where a small footprint and high-efficiency performance are critical requirements. -
Package
The SI2300DS-T1-GE3 chip is available in a surface-mount package type, specifically a SC-70 form. It has a size of 2mm x 2mm.
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