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vishay SI2300DS-T1-GE3

Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: VISHAY

제조업체부품 #: SI2300DS-T1-GE3

데이터 시트: SI2300DS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT23-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2300DS-T1-GE3 일반적인 설명

The SI2300DS-T1-GE3 is not only powerful, but also environmentally friendly. This RoHS-compliant transistor meets stringent environmental and safety standards, giving you peace of mind when integrating it into your designs. Its wide operating temperature range of -55°C to 150°C makes it versatile for use in various environmental conditions, further enhancing its appeal for a range of applications. Whether you need to protect batteries or manage power efficiently, the SI2300DS-T1-GE3 has you covered with its compact size, high performance, and reliability

특징

  • This product is designed with a high level of integration and advanced technology.
  • It features a very good performance with low power consumption and high efficiency.
  • The device also has a good thermal stability and can withstand high temperatures.

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수 매개변수
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 3.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 68 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 3 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.7 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 11 ns
Height 1.45 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 15 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 20 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-GE3

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부품 포인트

  • The SI2300DS-T1-GE3 is a power MOSFET chip designed by Vishay Intertechnology for use in a variety of electronic devices. This chip offers low on-resistance and high current capacity, making it ideal for efficient power management and switching applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of SI2300DS-T1-GE3 chip are SI2302DS-T1-GE3 and SI2312DS-T1-GE3. These chips are all N-channel enhancement mode MOSFETs with similar specifications, such as VDS and IDS ratings, and are often used interchangeably in electronic circuits.
  • Features

    1. High Voltage N-Channel MOSFET 2. Low on-resistance (RDS(on)) 3. Small footprint DFN package 4. 20 V drain-source voltage 5. 2.5 A continuous drain current 6. Low gate charge 7. High-speed switching capabilities
  • Pinout

    The SI2300DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a SOT-23 package. It has 3 pins: Source, Gate, and Drain. The source pin is the common terminal providing the reference potential, while the gate pin controls the conductivity between the source and drain pins. The drain pin is the output terminal for the device.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI2300DS-T1-GE3 is Vishay. Vishay is an American company that specializes in manufacturing a wide range of electronic components, including discrete semiconductors and passive components. They are known for their high-quality products and innovative technology solutions for various industries, such as automotive, telecommunications, and consumer electronics.
  • Application Field

    The SI2300DS-T1-GE3 is typically used in power management applications for portable electronics, battery-powered devices, and consumer electronics. It is also commonly used in space-constrained designs where a small footprint and high-efficiency performance are critical requirements.
  • Package

    The SI2300DS-T1-GE3 chip is available in a surface-mount package type, specifically a SC-70 form. It has a size of 2mm x 2mm.

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