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$5000vishay SI1025X-T1-GE3
SC89-6 MOSFET: -60V Drain-Source Voltage, 20V Gate-Source Voltage
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI1025X-T1-GE3
데이터 시트: SI1025X-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SC-89-6
상품 유형: FET, MOSFET Arrays
SI1025X-T1-GE3 일반적인 설명
The SI1025X-T1-GE3 is a MOSFET with a dual P-channel transistor polarity, designed for use in various electronic applications. It has a continuous drain current of -190mA and a drain-source voltage of -60V, making it suitable for low power consumption devices. With an on-resistance of 8ohm and a test voltage of -4.5V, this MOSFET offers efficient performance in controlling power flow. The power dissipation of 250mW and operating temperature range of -55°C to 150°C ensure reliable operation under varying environmental conditions. The transistor is housed in a SC-89 case style with 6 pins, making it easy to integrate into circuit designs. It also complies with Moisture Sensitivity Level (MSL) standards for safe handling and storage
특징
애플리케이션
SWITCHING명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-89-6 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 1.7 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI1 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Dual | Height: | 0.6 mm |
| Length: | 1.66 mm | Product Type: | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Width: | 1.2 mm | Part # Aliases: | SI1025X-GE3 |
| Unit Weight: | 0.001129 oz |
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