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ST SCTWA60N120G2-4

Name: SCTWA60N120G2-4
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4

브랜드: STMicroelectronics, Inc

제조업체부품 #: SCTWA60N120G2-4

데이터 시트: SCTWA60N120G2-4 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: HiP247-4

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 3,214 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SCTWA60N120G2-4 일반적인 설명

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

특징

Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Very high operating junction temperature capability (T_J = 200 °C)
Source sensing pin for increased efficiency

명세서

매개변수	값	매개변수	값
feature-packaging	Tube	feature-rad-hard
feature-pin-count	4	feature-supplier-package	HIP-247
feature-standard-package-name1		feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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부품 포인트

The SCTWA60N120G2-4 is a silicon carbide power MOSFET designed for high-frequency and efficiency applications. It offers low switch and conduction losses, making it suitable for use in power supplies, motor drives, and renewable energy systems. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 60A, this chip is ideal for high-power applications that require fast switching speeds and reliable performance.
Equivalent

The equivalent products of SCTWA60N120G2-4 chip are Infineon's IGBT modules with similar specifications, such as FF600R17ME4, FF450RA17KE3, and FF450RA17KF4. They are all high-power IGBT modules designed for industrial applications with similar current and voltage ratings.
Features

Some features of SCTWA60N120G2-4 include a VCEsat of 1.95V, a maximum continuous collector current of 60A, a maximum collector-emitter voltage of 1200V, and a switching frequency of 20kHz. It is a silicon carbide trench Schottky diode with low switching losses and high efficiency.
Pinout

The SCTWA60N120G2-4 is a silicon carbide power MOSFET with a TO-247-4 package. It has 3 pins: gate (G), source (S), and drain (D). It is designed for high-power applications due to its 1200V voltage rating and 60A current rating.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of SCTWA60N120G2-4. Infineon is a German semiconductor manufacturer that focuses on power and chip card security. They specialize in providing products for applications such as automotive, industrial, and digital power control.
Application Field

SCTWA60N120G2-4 is commonly used in high power applications such as industrial motor drives, power supplies, renewable energy systems, and electric vehicle charging. It is suitable for use in applications requiring high voltage and high current handling capabilities, making it a versatile choice for various power electronics applications.
Package

The SCTWA60N120G2-4 chip is a power module with a TO-247 package type. It has a single form and a size of 30.0mm x 50.7mm.