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ST SCT012H90G3AG

Name: SCT012H90G3AG
Rating: 4.5 (10 reviews)

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

브랜드: STMicroelectronics, Inc

제조업체부품 #: SCT012H90G3AG

데이터 시트: SCT012H90G3AG 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: H2PAK-7

RoHS 상태:

재고상태: 3628 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SCT012H90G3AG 일반적인 설명

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rdgeneration SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on)over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

특징

AEC-Q101 qualified
Very low R_DS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency

명세서

매개변수	값	매개변수	값
feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	8	feature-supplier-package	H2PAK
feature-standard-package-name1		feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-escc-qualified
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number	AEC-Q101	feature-auto-motive	Yes
feature-p-pap		feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc

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