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$5000RTQ045N03TR
Power Field-Effect Transistor with 4.5A current and 30V voltage rating
브랜드: Rohm Semiconductor
제조업체부품 #: RTQ045N03TR
데이터 시트: RTQ045N03TR 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-457T-6
RoHS 상태:
재고상태: 9,067 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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1 | $0.643 | $0.643 |
200 | $0.257 | $51.400 |
500 | $0.248 | $124.000 |
1000 | $0.244 | $244.000 |
재고: 9,067 PCS
RTQ045N03TR 일반적인 설명
The RTQ045N03TR is a power MOSFET manufactured by Richtek. It is a N-channel MOSFET with a voltage rating of 30V and a continuous drain current of 45A. The device is housed in a TO-263 package which allows for efficient heat dissipation during operation. The RTQ045N03TR features low RDS(ON) resistance of 4.5mΩ, making it suitable for high current applications where low power dissipation is crucial. This MOSFET also has a fast switching speed and low gate charge, allowing for efficient operation in applications requiring high frequencies.The MOSFET is designed for use in a wide range of applications including DC-DC converters, synchronous rectification, motor control, power management systems, and battery protection circuits. The device is designed to operate at high efficiency levels and withstand high power loads.
특징
- Advanced thermal performance
- High-speed switching capability
- Silicon-based, high-reliability design
- Fast recovery time and low losses
- Ergonomic package for easy handling
- Low noise emission and reduced electromagnetic interference
애플리케이션
- Electronic devices
- Power distribution
- Energy efficiency
- Voltage regulation
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-457T-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 4.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 420 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
Qg - Gate Charge | 7.6 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
Channel Mode | Enhancement | Series | RTQ045N03 |
Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
Fall Time | 31 ns | Height | 0.85 mm |
Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 31 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns | Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
Width | 1.6 mm | Part # Aliases | RTQ045N03 |
Unit Weight | 0.000494 oz |
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