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$5000ST PD55003-E
RF Mosfet 12.5 V 50 mA 500MHz 17dB 3W 10-PowerSO
제조업체부품 #: PD55003-E
데이터 시트: PD55003-E Datasheet (PDF)
패키지/케이스: PowerSO-10RF (formed lead)
상품 유형: RF FETs, MOSFETs
PD55003-E 일반적인 설명
The PD55003-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The PD55003 boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF.The PD55003’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios.The PowerSO-10RF plastic package is designed for high reliability, and is the first JEDEC-approved, high power SMD package from ST. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.Mounting recommendations are provided in application note AN1294, available on www.st.com.
특징
- Excellent thermal stability
- Common source configuration
- POUT= 3 W with 17dB gain @ 500 MHz / 12.5 V
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
| Operating Frequency: | 1 GHz | Gain: | 17 dB |
| Output Power: | 3 W | Minimum Operating Temperature: | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerSO-10RF-Formed-4 | Packaging: | Tube |
| Brand: | STMicroelectronics | Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single | Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Height: | 3.5 mm | Length: | 7.5 mm |
| Moisture Sensitive: | Yes | Pd - Power Dissipation: | 31.7 W |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors | Series: | PD55003-E |
| Factory Pack Quantity: | 400 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | LDMOS FET | Type: | RF Power MOSFET |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Width: | 9.4 mm |
| Unit Weight: | 0.105822 oz |
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