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$5000NEXPERIA PBSS301PX,115
Bipolar (BJT) Transistor
브랜드: Nexperia
제조업체부품 #: PBSS301PX,115
데이터 시트: PBSS301PX,115 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-89
상품 유형: Single Bipolar Transistors
PBSS301PX,115 일반적인 설명
PNP low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS301NX.
특징
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
- AEC-Q101 qualified
애플리케이션
- DC-to-DC conversion
- MOSFET gate driving
- Motor control
- Charging circuits
- Power switches (e.g. motors, fans)
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer | Nexperia | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-89-3 | Transistor Polarity | PNP |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 12 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 12 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 145 mV | Maximum DC Collector Current | 5.3 A |
Pd - Power Dissipation | 2.1 W | Gain Bandwidth Product fT | 140 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Brand | Nexperia | DC Collector/Base Gain hfe Min | 250 at 500 mA, 2 V, 250 at 1 A, 2 V, 200 at 2 A, 2 V, 150 at 4 A, 2 V, 130 at 6 A, 2 V |
DC Current Gain hFE Max | 250 at 500 mA, 2 V | Height | 1.6 mm |
Length | 4.6 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 2.6 mm |
Part # Aliases | 934059014115 |
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